1) lithography
[英][lɪ'θɔɡrəfi] [美][lɪ'θɑgrəfɪ]
光刻过程
1.
The ECO process in lithography of IC flow;
集成电路光刻过程中的ECO技术
2) sputter etch process
溅镀蚀刻过程
3) process of DMI
刻意曲解的过程
1.
The author concentrates mainly on two research questions, namely, the detailed process of DMI, and the various means linking contextualized prototypical meaning with nonprototypical meaning (how S2 deviates from S1 \'s intended meaning to his/her nonprototypical meaning).
并非所有的解释都具有相同的地位,它们的成员隶属度各不相同;刻意曲解的过程其实就是违反话语典型性解释原则的过程。
4) Fluorescence process
荧光过程
1.
Fluorescence processes of multiatomic molecule under the influence of laser are discussed in this paper.
在偶极近似下,讨论了多原子分子在激光影响下的荧光过程。
2.
This article gives a more detailed analysis and comparison between the Raman Effect and the producing mechanism and process of the fluorescence process, and points out the main differences between the two.
文章对喇曼效应和荧光过程的产生机理及产生过程进行了较为详细的对比和分析 ,并指出了两者的主要区
5) optical-electronic process
光电过程
1.
The research and development on the optical-electronic process of PPV in recent years are reviewed.
聚苯撑乙烯有机半导体光电过程是当今显示器件领域的研究热点,越来越多的研究人员致力于开发高性能的发光材料和研制高效率的器件结构,本文就聚苯撑乙烯有机半导体光电过程的研究现状作了详细阐述。
6) photoproduction process
光生过程
1.
It turns out that the hard photoproduction processes can be used to testing several important problems such as the gluon distribution in the nucleus,gluon and heavy quark fragmentation of J/ψ,et al.
结果表明，硬光生过程可以用于检验很多重要问题：如核中的股子分布；胶子和重夸克的Ｊ／ψ碎裂等。
补充资料：正规过程和倒逆过程
讨论完整晶体中声子-声子散射问题时,由于要求声子波矢为简约波矢（见布里渊区），所得到的总波矢守恒条件会相差一个倒易点阵矢量G)。例如对于三声子过程有下列条件
， (1)
式中q1和q2是散射前的声子简约波矢, q3为散射后声子波矢，式(1)中G)的取值应保证q3也是简约波矢。这时会出现两种过程,其一是当q1+q2在简约区内时,可以取倒易点阵矢量G)＝0,式(1)则简化为总波矢守恒条件,称为正规过程或N过程。其二是当q1+q2超出简约区时,所取G)应保证q3仍落于简约区内,由于q3与q1+q2相差G),显然q3位于q1+q2的相反一侧，这时散射使声子传播方向发生了倒转，故称为倒逆过程或U过程。U过程总波矢不守恒,但总能量守恒,因为声子频率是倒易点阵的周期函数，而q3与q1+q2只相差一个倒易点阵矢量。N过程在低温长波声子的散射问题中起主要作用。当温度升高，简约区边界附近的声子有较多激发时，U过程变得十分显著,它对点阵热导有重要贡献。
在能带电子与声子散射问题中存在着与式 (1)相仿的总波矢条件
k+G＝k┡±q，
(2)
式中k与k┡分别为散射前后电子的简约波矢,±号分别对应于吸收或发射q声子。类似的在热中子-声子散射以及晶体中一切波的相互作用过程中，总波矢变化都相差一个倒易点阵矢量G),因此也都有N与U过程之分。这是晶体和连续媒质不同之处，连续媒质对无穷小平移具有不变性，才能求得总波矢守恒，而晶体只具有对布喇菲点阵的平移不变性，因此总波矢守恒条件会相差一个倒易点阵矢量。
， (1)
式中q1和q2是散射前的声子简约波矢, q3为散射后声子波矢，式(1)中G)的取值应保证q3也是简约波矢。这时会出现两种过程,其一是当q1+q2在简约区内时,可以取倒易点阵矢量G)＝0,式(1)则简化为总波矢守恒条件,称为正规过程或N过程。其二是当q1+q2超出简约区时,所取G)应保证q3仍落于简约区内,由于q3与q1+q2相差G),显然q3位于q1+q2的相反一侧，这时散射使声子传播方向发生了倒转，故称为倒逆过程或U过程。U过程总波矢不守恒,但总能量守恒,因为声子频率是倒易点阵的周期函数，而q3与q1+q2只相差一个倒易点阵矢量。N过程在低温长波声子的散射问题中起主要作用。当温度升高，简约区边界附近的声子有较多激发时，U过程变得十分显著,它对点阵热导有重要贡献。
在能带电子与声子散射问题中存在着与式 (1)相仿的总波矢条件
k+G＝k┡±q，
(2)
式中k与k┡分别为散射前后电子的简约波矢,±号分别对应于吸收或发射q声子。类似的在热中子-声子散射以及晶体中一切波的相互作用过程中，总波矢变化都相差一个倒易点阵矢量G),因此也都有N与U过程之分。这是晶体和连续媒质不同之处，连续媒质对无穷小平移具有不变性，才能求得总波矢守恒，而晶体只具有对布喇菲点阵的平移不变性，因此总波矢守恒条件会相差一个倒易点阵矢量。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条