1) thysistor/metal oxide semiconductor field effect transistor
晶闸管/金属氧化物半导体场效应晶体管
2) MOSFET
['mɔsfet]
金属-氧化物-半导体场效应晶体管
1.
An efficient,self-consistent method of Monte Carlo and Poisson equation is used to simulate the electrical characteristic of deep submicron metal-oxide-semiconductor field effect Transistor(MOSFET).
用蒙特卡罗-泊松方程自洽求解的方法,对深亚微米金属-氧化物-半导体场效应晶体管——MOSFET的电特性进行了模拟。
3) loss/metal oxide semiconductor field effect transistor
损耗/金属氧化物半导体场效应晶体管
4) control/MOSFET
控制/金属-氧化物-半导体-场效应晶体管
5) MOSFET
['mɔsfet]
金属氧化物半导体场效应晶体管
1.
A novel SiC Schottky Barrier Source/Drain Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (SiC SBSD-MOSFET) is proposed in this dissertation.
本文提出了一种新型SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)结构——SiC肖特基势垒源漏MOSFET。
6) experiment/MOSFET
实验/金属-氧化物-半导体场效应晶体管
补充资料：晶体管
见半导体器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条