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1)  FCVPD(filtered cathode vacuum arc deposition)
磁过滤阴极真空弧沉积
2)  filtered cathodic vacuum arc deposition
过滤阴极真空弧沉积
1.
Ta-C films are synthesized by filtered cathodic vacuum arc deposition method.
磁过滤阴极真空弧沉积 (FCVAD)方法在Si衬底上合成了Ta C薄膜 ,Raman光谱和光电子能谱 (XPS)分析表明衬底加 80~ 10 0V负偏压时合成的Ta C薄膜sp3 键所占比例最高 ,可达 80 %以上 ,并且在Ta C薄膜表面存在一sp3 键所占比例较低的薄层 。
3)  FCVA
磁过滤阴极真空弧沉积系统(FCVA)
4)  FVAPD
磁过滤阴极真空弧沉积(FVAPD)
5)  Filtered cathodic vacuum arc(FCVA)
过滤阴极真空电弧沉积(FCVA)
6)  DC filtered cathodic vacuum arc
磁过滤真空阴极弧
补充资料:阴极沉积
分子式:
CAS号:

性质:电解盐类水溶液或熔盐制备金属或电解精炼提纯金属时,金属离子皆在阴极被还原并沉积析出,故称阴极沉积。沉积金属的状态与电极材料、离子浓度、温度等条件有关。

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