1) fast neutron radiography
快中子照相
1.
The fluorescent converter used for fast neutron radiography was developed by using the home-made wavelength-shifting fibers(WSF).
采用国产材料研制了基于移波光纤的快中子照相用转换屏。
2.
The effects of secondary neutrons on the image quality is simulated using FNRSC (fast neutron radiography simulation code) for a series of scintillator thickness values ranging from 5 mm to 300 mm.
利用编制的快中子照相数值模拟程序(FNRSC)模拟计算了入射中子能量为14MeV时,厚度5—300mm闪烁体内次级中子对快中子图像质量的影响,结果表明闪烁体厚度d<50mm时,次级中子对图像的影响强烈依赖于闪烁体厚度,而当d>50mm时,次级中子对图像的影响趋于饱和。
3.
Monte Carlo simulation of effect of neutron scattering on image information in 14-MeV fast neutron radiography;
依据实验参数,建立了14MeV快中子照相的物理模型,并利用Monte Carlo方法对照相过程进行了模拟。
2) 14 MeV fast neutron radiography
14MeV快中子照相
3) fast neutron irradiation
快中子辐照
1.
The annealing behavior of V_2 in CZSi introduced by fast neutron irradiation was investigated by Flourier infrared spectrometric analyzer (FTIR), and the effect of the dose of the fast neutron irradiation on the formation of V_2 was also studied in detail.
通过傅立叶红外光谱仪(FTIR)技术研究了由快中子辐照直拉硅中引入的辐照缺陷——双空位(V2)退火行为,主要研究了不同中子辐照剂量对双空位的影响。
2.
In Czochralski silicon crystals (CZSi) through fast neutron irradiation, formation and conversion of defects were investigated using Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR), Positron annihilation technology (PAT) and Scanning electron microscope(SEM).
本文对直拉硅样品进行了不同剂量的快中子辐照，在硅中引入大量的亚稳态缺陷，研究这些亚稳态缺陷的形成，并在较宽的温度范围内对辐照样品进行了退火处理，研究退火后亚稳态缺陷的转化及同硅中氧的相互作用，应用傅立叶变换红外光谱技术(FTIR)、正电子湮没技术(PAT)和扫描电镜(SEM)进行了测试。
4) neutron radiography
中子照相
1.
MCNP numerical simulation pilot study of thermol neutron radiography;
热中子照相的MCNP数值模拟初步研究
2.
Development of imaging system of thermal neutron radiography facility;
热中子照相成像系统的研制
3.
Development of collimator system of neutron radiography facility in SPRR-300 reactor;
SPRR-300反应堆中子照相装置准直系统的研制
5) Neutrongraphy
中子照相法
6) Cold neutron radiography
冷中子照相
1.
Cold neutron radiography lies in that neutrons react with ~6Li nucleus in the scintillator to produce charged alpha particles,which interact with fluorescent material and yield photons;hence the photons distribution is recorded by detector.
冷中子照相利用穿透样品的中子和荧光屏~6Li 反应产生的α带电粒子与荧光材料发光,从而在探测器上记录光强度的分布。
补充资料：中子照相
利用中子束穿透物体时的衰减情况，显示某些物体的内部结构的技术。按所用的中子的能量中子照相可分为：冷中子照相、热中子照相和快中子照相。
中子照相装置如图1所示。中子源提供中子，反应堆中子源是中子照相最合适的中子源，也能应用其他中子源。如果要进行热中子照相，在源周围要围以适当的慢化物质，使快中子慢化为热中子。准直器使源发射的中子形成平行的或发散的中子束，以提高照片的分辨率。常用的像探测器主要是X 射线照相胶片。因直接探测中子的效率太低，需使用转换屏，中子同转换屏相互作用，放出α、β或γ辐射,使照相胶片容易记录。
转换屏分两类，一类是由诸如钆、锂、硼和镉等材料制成的屏，它们吸收热中子后发出瞬时辐射，使胶片曝光。使用这种屏时需采用直接曝光法，即将屏同胶片紧贴，放入暗盒，置于中子束中一起曝光；另一类转换屏由铟、镝和银等材料制成，这种材料俘获热中子后形成具有一定寿命的放射性核。使用这种屏时需采用间接曝光法，即将转换屏置于中子束中，曝光后在转换屏上就形成了潜在的放射性像。然后，将转换屏移置在胶片上，让胶片曝光。
直接曝光法的优点是照相过程短，灵敏度高，像分辨率高；缺点是胶片同时也记录了在中子束内的γ射线及其他物体在中子照射时所放出的γ射线，形成较大本底，影响像的清晰度。间接曝光法避免了γ射线的干扰，但照相过程长，适用于有高放射性的物体，如反应堆燃料元件。
同X射线照相比较，中子照相的特点是：物质对X射线的衰减能力随物质原子序数的增大而增大；而物质对中子的衰减能力依赖于元素的核性质,如:铁、铅、铋等重金属对兆电子伏以下能量中子的衰减能力就比氢、锂、硼等轻物质小得多。这样，用中子照相法就可以检查铁外壳内的含氢物体的结构。由图2可以看到子弹内部的火药填充情况。中子照相在材料的非破坏性检验中可作为X 射线照相的补充。在军事工业、核工业、航天工业、飞机制造工业、农业和医学等领域都得到了广泛的应用。
参考书目
B. Harold， Neutron RadiogRaphy， Elserier，Amsterdam,1965.
M.R.Hawkesworth ，RadiogRaphy with Neutrons，British Nuclear Energy Society, London, 1975.
中子照相装置如图1所示。中子源提供中子，反应堆中子源是中子照相最合适的中子源，也能应用其他中子源。如果要进行热中子照相，在源周围要围以适当的慢化物质，使快中子慢化为热中子。准直器使源发射的中子形成平行的或发散的中子束，以提高照片的分辨率。常用的像探测器主要是X 射线照相胶片。因直接探测中子的效率太低，需使用转换屏，中子同转换屏相互作用，放出α、β或γ辐射,使照相胶片容易记录。
转换屏分两类，一类是由诸如钆、锂、硼和镉等材料制成的屏，它们吸收热中子后发出瞬时辐射，使胶片曝光。使用这种屏时需采用直接曝光法，即将屏同胶片紧贴，放入暗盒，置于中子束中一起曝光；另一类转换屏由铟、镝和银等材料制成，这种材料俘获热中子后形成具有一定寿命的放射性核。使用这种屏时需采用间接曝光法，即将转换屏置于中子束中，曝光后在转换屏上就形成了潜在的放射性像。然后，将转换屏移置在胶片上，让胶片曝光。
直接曝光法的优点是照相过程短，灵敏度高，像分辨率高；缺点是胶片同时也记录了在中子束内的γ射线及其他物体在中子照射时所放出的γ射线，形成较大本底，影响像的清晰度。间接曝光法避免了γ射线的干扰，但照相过程长，适用于有高放射性的物体，如反应堆燃料元件。
同X射线照相比较，中子照相的特点是：物质对X射线的衰减能力随物质原子序数的增大而增大；而物质对中子的衰减能力依赖于元素的核性质,如:铁、铅、铋等重金属对兆电子伏以下能量中子的衰减能力就比氢、锂、硼等轻物质小得多。这样，用中子照相法就可以检查铁外壳内的含氢物体的结构。由图2可以看到子弹内部的火药填充情况。中子照相在材料的非破坏性检验中可作为X 射线照相的补充。在军事工业、核工业、航天工业、飞机制造工业、农业和医学等领域都得到了广泛的应用。
参考书目
B. Harold， Neutron RadiogRaphy， Elserier，Amsterdam,1965.
M.R.Hawkesworth ，RadiogRaphy with Neutrons，British Nuclear Energy Society, London, 1975.
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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