1) injection efficiency
注入效率
1.
Results from analytical derivation and numerical simulation demonstrate that,the injection efficiency under new system is very high which is nearly 100%,and perturbation on stored beam is small,whose centre-mass growth is lower than orbit stability requirement.
解析分析和数值模拟结果表明,新设计注入系统具有非常高的注入效率,配合合肥自由电子激光实验装置中直线加速器改造,注入效率接近100%;同时,储存束流扰动很小,质心发射度增长满足束流稳定性要求,系统具有向准恒流运行模式发展的潜力。
2.
The results reveal several relations between the current injection efficiency and a few parameters,i.
通过在量子阱激光器中的分别限制结构层引入4种不同的渐变方式,即线性渐变、抛物线渐变、扩散渐变以及高斯渐变,利用电流连续方程、泊松方程以及边界条件进行数值计算,得到了在不同渐变方式下器件的电流注入效率与注入载流子密度、有源层厚度及渐变长度的关系。
3.
Based on a short anode GTO structure(SA-GTO),a novel GTO structure called an injection efficiency controlled gate turn off thyristor(IEC-GTO)is proposed,in which the injection efficiency can be controlled via an additional thin oxide layer located in the short anode contact region.
在阳极短路型门极可关断晶闸管(SA-GTO)的基础上,提出了一种新颖的注入效率可控的门极可关断晶闸管(IEC-GTO),其注入效率可通过一层位于阳极短路接触区的薄氧化层来控制。
2) Hole injection efficiency
空穴注入效率
3) spin injection efficiency
自旋注入效率
1.
Electric detection of spin injection efficiency;
自旋注入效率的电学探测
2.
Numerical calculations indicate that increasing bias voltage will enhance the spin injection efficiency(SIE) in single magnetic junction but decrease the tunneling magnetoresistance(TM.
利用量子隧穿理论研究了磁性半导体隧道结中自旋输运的偏压影响,分别讨论了自旋注入源是铁磁金属和铁磁半导体两种情况下,磁性半导体隧道单结中自旋注入效率对偏压的依赖关系。
3.
A spin drift-diffusion equation is discussed, and the spin injection efficiency in Fe/GaAs structure, which is a representative of ferromagnet/semiconductor (FM/SC) structure, is analyzed.
如果选取参数适当,可以在Fe/GaAs结中获得较大的自旋注入效率。
4) Carrier Injection Efficiency
载流子注入效率
5) diode injection efficiency
二极管注入效率
6) emitter-injection efficiency
发射极注入效率
补充资料：配置效率和生产效率
在经济学上，经济发展的动力，或者说效率的来源，分为两类：一类是配置效率，二是生产效率。所谓配置效率，是指给定资源和技术的条件下，怎么样使资源从边际生产率低的地方流向边际生产率高的地方，从而使得资源和利用更合理、社会总价值达到最大;而生产效率是指如何通过技术进步提高每一种资源的生产率，也就是把社会的生产可行性边界向外移。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条