1) High voltage or heavy current drive IC
高电压或大电流驱动集成电路
2) high voltage IC
高电压集成电路
1.
IRS2158D use high voltage IC producing technology,IRS2158D is a 600 V ballast control IC,IRS2158D can be used in many type fluorescent lamp\'s application case.
IRS2158D是IR公司新近推测出的一款可调光电子镇流器控制集成电路,具有保护控制功能齐全和使用方便的特点,采用高电压集成电路制造,是一款600 V电子镇流器控制IC,适用于驱动各种型号的荧光灯。
3) integrated drive circuit
集成驱动电路
1.
A novel intelligent integrated drive circuit for hybrid active power filter is proposed.
提出一种用于混合有源滤波器的智能集成驱动电路。
5) double voltage driving circuit
高低压驱动电路
1.
A kind of double voltage driving circuit with high voltage RC delay control was put forward for controlling gas solenoid valve of solid rocket divert and attitude control motors.
提出了一种高压RC延时控制的高低压驱动电路,用于姿轨控发动机燃气阀控制。
6) High voltage driver circuit
高压驱动电路
补充资料：高性能金属-氧化物-半导体集成电路
器件和电路连线的尺寸按某种规律缩小，其他有关参数随着相应变化,以达到高性能(速度快、功耗低、集成密度高)指标的硅栅NMOS电路技术，简称HMOS。
按比例缩小原则 表中数值为MOS器件尺寸和电压等参数缩小K分之一、衬底浓度增大K倍以后，电路性能提高的情况：速度提高K倍、功耗降至1/K2、功耗-延迟乘积降至1/K3。MOS电路尺寸的微细化，对提高超大规模集成电路的性能有很大的作用。此表是按照缩小前后MOS晶体管沟道区电场不变的原则推算出来的(通常称为恒定电场按比例缩小原则)。在实际电路中，希望电源电压保持不变，因此出现了恒压按比例缩小原则。这时所得到的性能改进，比表中所列数值差一些。实际HMOS技术规范并非严格按照某种比例原则制定的，而是要兼顾微细化加工水平、电源电压兼容性、各种次噪效应的抑制、电路的可靠性和成品率等多种因素。
微细化 MOS电路的次级效应 MOS 器件的尺寸缩小到一定程度后，会出现一系列的次级效应。①短沟道效应：沟道过短时，开启电压随漏源电压的升高和沟道长度的减小而降低。②窄沟道效应：沟道太窄时，开启电压随沟道宽度的减小而升高。③源、漏穿通：沟道过短并加上一定的V时，源结和漏结耗尽区会碰在一起,从而引起 MOS晶体管源、漏间的穿通。④漏电压对源势垒的调制效应：在源、漏穿通之前,因结耗尽区的靠近,漏电压会使源结的势垒降低，从而增大亚阈值电流,使MOS晶体管失去良好的开关性能。⑤热电子效应：沟道长度缩短到一定程度后，沟道区内的电场变得很强，使电子温度升高。一部分热电子将有可能注入栅介质层并陷落在氧化层的陷阱中，引起开启电压的漂移，从而使长期工作不尽可靠。
按比例缩小原则 表中数值为MOS器件尺寸和电压等参数缩小K分之一、衬底浓度增大K倍以后，电路性能提高的情况：速度提高K倍、功耗降至1/K2、功耗-延迟乘积降至1/K3。MOS电路尺寸的微细化，对提高超大规模集成电路的性能有很大的作用。此表是按照缩小前后MOS晶体管沟道区电场不变的原则推算出来的(通常称为恒定电场按比例缩小原则)。在实际电路中，希望电源电压保持不变，因此出现了恒压按比例缩小原则。这时所得到的性能改进，比表中所列数值差一些。实际HMOS技术规范并非严格按照某种比例原则制定的，而是要兼顾微细化加工水平、电源电压兼容性、各种次噪效应的抑制、电路的可靠性和成品率等多种因素。
微细化 MOS电路的次级效应 MOS 器件的尺寸缩小到一定程度后，会出现一系列的次级效应。①短沟道效应：沟道过短时，开启电压随漏源电压的升高和沟道长度的减小而降低。②窄沟道效应：沟道太窄时，开启电压随沟道宽度的减小而升高。③源、漏穿通：沟道过短并加上一定的V时，源结和漏结耗尽区会碰在一起,从而引起 MOS晶体管源、漏间的穿通。④漏电压对源势垒的调制效应：在源、漏穿通之前,因结耗尽区的靠近,漏电压会使源结的势垒降低，从而增大亚阈值电流,使MOS晶体管失去良好的开关性能。⑤热电子效应：沟道长度缩短到一定程度后，沟道区内的电场变得很强，使电子温度升高。一部分热电子将有可能注入栅介质层并陷落在氧化层的陷阱中，引起开启电压的漂移，从而使长期工作不尽可靠。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条