1) perovskite manganite
锰基钙钛矿氧化物
1.
Since the discovery of colossal magnetoresistance effect (CMR) in perovskite manganites, it has sparked considerable renewed interests in these long-known materials with an eye towards both an understanding of the CMR and related properties and potential applications in magnetic information store and low-field magnetic sensors.
以锰基钙钛矿氧化物为代表的磁电阻材料,由于它们所表现出来的庞磁电阻(colossal magnetoresistance,简称CMR)效应在提高磁存储密度及磁敏感探测元件上具有十分广阔的应用前景,因而受到人们的广泛关注。
2.
The discovery of colossal magnetoresistance (CMR) in perovskite manganites has attracted great interest.
论文主要包括以下几个方面: 1、概述了锰基钙钛矿氧化物的结构、相图等研究状况,对磁电阻效应进行了简单的总结。
2) perovskite manganites
锰基钙钛矿氧化物
3) layered manganites
双层钙钛矿锰基氧化物
1.
A series of layered manganites of La-{4/3}(Sr-{1-x}Ba-x)-{5/3}Mn-2O-7(0≤x≤1) were prepared by Sol-Gel.
本文主要介绍用溶胶 凝胶法制备的Ba离子掺杂的双层钙钛矿锰基氧化物La4 /3(Sr1-xBax) 5/3Mn2 O7(0
5) perovskite manganite
钙钛矿锰氧化物
1.
Magnetic properties and magnetoresistance effect of polycrystalline perovskite manganites (La0.
7MnO3的多晶钙钛矿锰氧化物,通过电阻率、磁化曲线和居里温度的测量,对其磁性与磁电阻效应进行了研究。
2.
It can be shown that doping rare-earth is a effective measure to change the Curie temperature of Perovskite manganite and increase MR;and an appropriate doping proportion will generate a high magnetoresistance .
结果表明:稀土离子掺杂是改变钙钛矿锰氧化物居里温度和增强MR的有效途径;适量掺杂可以在室温附近产生大的磁电阻。
3.
In this paper,we have studied the influence of heat treated with different temperature and different time,and doped Na ions on the structure and magnetic properies of perovskite manganites with nominal composition La_(0.
钙钛矿锰氧化物RE_(1-x)T_xMnO_3(RE为稀土元素,T为碱土元素)由于其庞大的磁电阻效应和广阔的应用前景,成为世纪之交前后十几年中的一个研究热点。
6) layered perovskite manganese oxide
层状钙钛矿锰氧化物
补充资料：钙钛矿型铁氧体
分子式：
CAS号：
性质：又称钙钛矿型铁氧体。具有钙钛矿型结构的铁氧体。其化学式为AFeO3(式中A为Y或一部分其他稀土元素)。其晶体结构与天然钙钛石(CaTiO3)相同，属正交晶系。具有单轴各向异性。饱和磁化强度很低，约为(4.9～11.4)×10-4T，其泡径(磁泡处于稳定状态时的直径)较大，迁移率较低。用它制作的磁泡存储器具有非挥发性、抗辐射能力强。利用薄膜技术可实现集成化，在密度与半导体存储器相同情况下功耗约可低2～3个数量级。主要用作磁泡材料。
CAS号：
性质：又称钙钛矿型铁氧体。具有钙钛矿型结构的铁氧体。其化学式为AFeO3(式中A为Y或一部分其他稀土元素)。其晶体结构与天然钙钛石(CaTiO3)相同，属正交晶系。具有单轴各向异性。饱和磁化强度很低，约为(4.9～11.4)×10-4T，其泡径(磁泡处于稳定状态时的直径)较大，迁移率较低。用它制作的磁泡存储器具有非挥发性、抗辐射能力强。利用薄膜技术可实现集成化，在密度与半导体存储器相同情况下功耗约可低2～3个数量级。主要用作磁泡材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条