1) SiOx amorphous thin films
SiOx非晶薄膜
2) SiO_X film
SiOX薄膜
1.
The results show that the SiO_x film strongly improves the hu.
在射频等离子体放电条件下,以六甲基二硅氧烷(Hexamethyldisilone,HMDSO)为单体,氧气为反应气体,在PET薄膜及载玻片上聚合SiOx薄膜。
3) SiOx film
SiOx薄膜
1.
The SiOx films were prepared by dual-ion-beam co-sputtering process from a composite target.
本论文采用双离子束溅射沉积技术制备了非晶的SiOx薄膜,XPS的测试表明Si是以单原子或低价氧化物的形态存在于薄膜内;在波长为240nm紫外光的激发下,室温及1000℃退火后SiOx薄膜的PL谱图显示样品中存在峰位分别处于320nm,410nm,560nm,630nm四个相互分离的峰,其发光机制分别为来自中性氧空位缺陷(≡Si-O-O-Si≡)、双配位硅悬挂键(O-Si-O)、非桥氧空位中心以及其他缺陷所形成的发光中心。
2.
In this contribution SiOx films are deposited with a DBD plasma gun at an atmospheric pressure.
本文进行了大气压下等离子体枪合成SiOx薄膜的实验研究。
3.
At atmospheric pressure,with CF_4as assisted gas and (CH_3)_3SiOSi(CH_3)_3 as reactive Monomer,SiOx film were fabricated by the cold plasma arc.
在大气压下,以六甲基二硅氧烷为单体,四氟化碳为辅助气体,用冷等离子弧制备SiOx薄膜。
4) amorphous thin films
非晶薄膜
1.
60 O 3 (PZT) amorphous thin films were deposited on the fused silica substrates using a modified sol gel processing.
60 O3 (PZT)非晶薄膜 ,测量了 2 0 0～ 110 0nm的紫外可见近红外透射光谱 。
2.
52) amorphous thin films on vitreous silica substrates by RF magnetron sputtering were investigated by UV～VIS～NIR transmittance measurement in the wavelength range of 200～1100nm.
5 2 )非晶薄膜 ,并测量了 2 0 0～ 110 0nm的紫外 可见 近红外透射光谱 。
补充资料：稀土-铁族金属非晶薄膜磁光材料
分子式：
CAS号：
性质：用稀土和铁族金属制成的薄膜磁光材料其组成、电和磁性能及单轴各向异性受沉积条件及靶材成分影响。非晶态霍耳电压(VH)与磁场关系和极向克尔磁带回线相似，在补偿温度(Tcomp)附近，霍尔系数R1改变符号，当T<Tcomp时，R1为负，相反为正。其制备方法为高频溅射、真空蒸发、磁控溅射等。
CAS号：
性质：用稀土和铁族金属制成的薄膜磁光材料其组成、电和磁性能及单轴各向异性受沉积条件及靶材成分影响。非晶态霍耳电压(VH)与磁场关系和极向克尔磁带回线相似，在补偿温度(Tcomp)附近，霍尔系数R1改变符号，当T<Tcomp时，R1为负，相反为正。其制备方法为高频溅射、真空蒸发、磁控溅射等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条