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1)  Phototransistor [英][,fəutəutræn'zistə]  [美][,fototræn'zɪstɚ]
光晶体管
1.
Study of the Heterogeneous Phototransistor(HPT) with a Wide-gap Emitter;
宽带隙材料作发射区的异质结光晶体管(HPT)的研究
2)  phototransistor [英][,fəutəutræn'zistə]  [美][,fototræn'zɪstɚ]
光敏晶体管光电晶体管
3)  optical transistor
光敏晶体管;光学晶体管
4)  photogate transistor
光栅晶体管
1.
Transient model and analysis of bipolar junction photogate transistor used in CMOS imagers;
双极型光栅晶体管的瞬态特性模型及模拟分析(英文)
5)  Phototransistor [英][,fəutəutræn'zistə]  [美][,fototræn'zɪstɚ]
光电晶体管
1.
Sensitivity,optical gain and current gain of a new model AlGaAs/GaAs punch-through phototransistor are measured.
在nW~μW光功率下测试高增益穿通型AlGaAs/GaAs光电晶体管的直流参数:光电灵敏度、光电增益和电流增益。
6)  all-optical transistor
全光晶体管
1.
The physical principle of cascaded second-order nonlinear optical effects and their applications in all-optical transistor action are reviewed.
文章对二阶非线性串级效应的物理原理和基于此的全光晶体管的研究进行了综合介
补充资料:光晶体管
光晶体管
phototransistor

   由双极型晶体管或场效应晶体管等三端器件构成的光电器件。光在这类器件的有源区内被吸收,产生光生载流子,通过内部电放大机构,产生光电流增益。光晶体管三端工作,故容易实现电控或电同步。光晶体管所用材料通常是砷化镓(CaAs),主要分为双极型光晶体管、场效应光晶体管及其相关器件。双极型光晶体管通常增益很高,但速度不太快,对于GaAs-GaAlAs,放大系数可大于1000,响应时间大于纳秒,常用于光探测器,也可用于光放大。场效应光晶体管响应速度快(约为50皮秒),但缺点是光敏面积小,增益小(放大系数可大于10),常用作极高速光探测器。与此相关还有许多其他平面型光电器件,其特点均是速度快(响应时间几十皮秒)、适于集成。这类器件可望在光电集成中得到应用。
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