1) great power MOSFET
大功率MOS管
2) power MOSFET
功率MOS管
1.
Some problems are discussed with the proposed circuit,such as the floating gate drive for the power MOSFET,the dead time setup of the complementary PWM outputs,the reasons to form the oscillation and the way to opti.
结合设计的控制驱动电路,讨论了功率MOS管栅极浮置驱动、互补脉宽调制死区时间设置的问题,分析了驱动电路中振荡产生的原因,并给出优化方法。
3) MOS power transistor
MOS功率管
1.
Analysis is made on switching properties and drive mechanism for MOS power transistor based on classical circuit theory.
运用经典电路理论 ,对MOS功率管的开关特性、驱动原理进行了分析 ,导出了应用MOS功率管实现高速大电流开关应遵从的原则和方法 ,并成功地实现了光脉冲上升时间小于 5ns、下降时间小于 10ns ,驱动电流达 10～ 5 0AP -P激光器电源的要
4) V-MOS FET
V-MOS功率管
5) power MOS
功率MOS
1.
To make sure the reliability of work and depress the cost, a reliable and low cost NDE (Nondestructive evaluation) method is badly needed to evaluate the endurance of power MOS device which is going to be .
功率MOS器件,特别是VDMOS器件与现在高度发展的超大规模集成电路(VLSI)工艺相容,发展迅速,已经成为电力电子器件发展的主流。
6) power MOSFET
功率MOS器件
1.
A new model is established to make simulation for single event gate rupture of power MOSFETs in use of PSPICE circuit simulation software.
建立了功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模型和相应的模型参数提取方法 ,对VDMOS器件的单粒子栅穿效应的机理进行了模拟和分析 ,模拟结果与文献中的实验数据相符合 ,表明所建立的器件模型和模拟方法是可靠
2.
A new model is established to perform simulation for Single\|Event Gate\|Rupture of power MOSFETs in use of PSPICE circuit simulation software.
根据电路模拟软件PSPICE内建元器件模型 ,建立了功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模型和模型参数提取方法 ,对VDMOS器件的单粒子栅穿效应机理进行了电路模拟和分析 ,模拟结果与文献中的实验数据相符合 ,表明所建立的等效电路模拟方法是可靠
补充资料：大功率电子管
第一代电力电子器件。用于高频电能变换电路，一般为真空三极管。器件符号如图1所示。三极管的3个电极中,栅极靠近阴极且处于阴极与阳极之间。工作时,阳极加正向电压。当阴极被加热(直热式，预热时间约1分钟)，产生的热电子可被阳极收集，形成阳极电流，改变栅极电位可以控制阳极电流的大小。图2是大功率电子管阳极特性一例。与功率场效应晶体管的输出特性对比，它们有相同之处，但三极管的通态阳极电压要高得多。 三极管为电压控制型器件，用以构成放大器或振荡器。应用于高频感应加热电源的大功率电子管其额定阳极电压为5～15千伏, 额定电流为几安至上百安,耗散功率从几千瓦至几百千瓦，工作频率一般为1～5兆赫（上限可达100兆赫），可连续工作约数千小时。 电子管高频电源的频率下限约100千赫。50 千赫以下的电源一般采用电力半导体器件（如晶闸管）。
在电子管高频电源中,电子管处于振荡工作状态,器件上会同时出现很高的阳极电压与电流，所产生的大量热量由水冷装置或风冷装置散逸。电子管高频电源的效率一般不到50％,而晶闸管中频（1千赫）电源的效率则高达92％以上。20世纪80年代，由于能控制几十千瓦以上功率的电力电子器件，其开关频率（约几十千赫）还远未达到同容量的大功率电子管水平，电子管在高频大功率领域仍占据主要地位。
在电子管高频电源中,电子管处于振荡工作状态,器件上会同时出现很高的阳极电压与电流，所产生的大量热量由水冷装置或风冷装置散逸。电子管高频电源的效率一般不到50％,而晶闸管中频（1千赫）电源的效率则高达92％以上。20世纪80年代，由于能控制几十千瓦以上功率的电力电子器件，其开关频率（约几十千赫）还远未达到同容量的大功率电子管水平，电子管在高频大功率领域仍占据主要地位。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条