1) planar resonant tunneling diodes
平面型共振隧穿二极管
1.
To resolve the undercut problem in the fabrication of conventional resonant tunneling diodes,a method was proposed for the fabrication of planar resonant tunneling diodes in N~+GaAs substrate through ion implant.
为了解决传统台面型共振隧穿二极管制作过程中横向钻蚀问题,提出了一种采用离子注入法在N+GaAs衬底上制作平面型共振隧穿二极管,通过离子注入对器件之间进行隔离,取代了台面制作工艺中的通过湿法腐蚀隔离器件的目的。
2.
In this thesis, the fabrication of planar resonant tunneling diodes and mesa-type resonant tunneling diodes, the measurement and analysis of MOBILE(monostable-bistable transition logic element)circuit cell build up by planar resonant tunneling diodes, the measurement and analysis of series resistance of resonant tunneling diodes, and fabrication of resonant tunneling transistor are studied.
本论文包括了平面型共振隧穿二极管的研制、台面型共振隧穿二极管的制作、由平面型共振隧穿二极管组成的MOBILE单元电路设计与测试、共振隧穿二极管的串联电阻的分析与测试以及共振隧穿晶体管的研制等研究内容。
2) PRTD
平面型共振隧穿二极管
1.
Planar resonant tunneling diode(PRTD)based on n+ GaAs substrate and self-aligned B implantation was fabricated.
采用n+GaAs衬底和自对准B离子注入技术制作了平面型共振隧穿二极管,深入讨论其制作过程中几个关键问题,包括离子注入能量与剂量的选择、RTD负阻区表观正阻现象等,并系统地研究了快速合金工艺温度和时间对于制作良好欧姆接触和消除负阻区表观正阻的影响。
3) resonant tunneling diode
共振隧穿二极管
1.
Effect of polarization on current characteristics of AlN/GaN resonant tunneling diode
极化效应对AlN/GaN共振隧穿二极管电流特性的影响
2.
The relaxation oscillation characteristics of a resonant tunneling diode (RTD) with applied pressure are reported.
报道了共振隧穿二极管(RTD)在压力下的弛豫振荡特性。
3.
A new type of planar resonant tunneling diode(RTD) was fabricated by ion implantation.
采用离子注入方法制作了一种新型平面共振隧穿二极管(RTD),通过离子注入将器件之间进行隔离,避免了传统台面型RTD中采用的台面刻蚀所带来的一些缺点,并且表现出良好的I-V特性,峰谷电流比为3。
4) RTD
共振隧穿二极管
1.
Photodetector and Optical Modulator with RTD Structure;
共振隧穿二极管型光探测器和光调制器
2.
Electric Charge Accumulation Effect in RTD:Lecture of Resonant Tunneling Devices(4);
共振隧穿二极管中的电荷积累效应——共振隧穿器件讲座(4)
3.
Design of RTD-Based TSRAM;
基于共振隧穿二极管的TSRAM设计(英文)
5) resonant tunneling diode (RTD)
共振隧穿二极管(RTD)
6) DBRT diodes
双垫垒共振隧穿二极管
补充资料：平面型铁氧体
分子式：
CAS号：
性质：超高频范围内使用的一类软磁铁氧体。具有磁铅石型结构。其化学式为BaMFe16O27，BaMFe12O22，BsMFe24O41，可分别简写为MW，MY，MZ（M为钴、锌、镍、锰、镁等二价金属离子或他们的混合物）。他们的特点是在高频磁场作用下，平面偏振的电磁波在铁氧中按一定方向传播时，偏振面会不断绕传播方向旋转，即易磁化轴在偏振平面上，截止频率较高。饱和磁化强度Ms0.16～0.339T。用这类铁氧体已制成频率高达2GHz以上、磁导率与品质因数的乘积，μQ值超过100的产品。主要用于扫频磁芯、电调电感器、宽频变压器等。
CAS号：
性质：超高频范围内使用的一类软磁铁氧体。具有磁铅石型结构。其化学式为BaMFe16O27，BaMFe12O22，BsMFe24O41，可分别简写为MW，MY，MZ（M为钴、锌、镍、锰、镁等二价金属离子或他们的混合物）。他们的特点是在高频磁场作用下，平面偏振的电磁波在铁氧中按一定方向传播时，偏振面会不断绕传播方向旋转，即易磁化轴在偏振平面上，截止频率较高。饱和磁化强度Ms0.16～0.339T。用这类铁氧体已制成频率高达2GHz以上、磁导率与品质因数的乘积，μQ值超过100的产品。主要用于扫频磁芯、电调电感器、宽频变压器等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条