1) inner electric field
内电场
1.
Effect of inner electric field on the photoluminescence spectrum of nanosilicon;
内电场对纳米硅光致发光谱的影响
2) built-in electric field
内建电场
1.
The second-harmonic generation(SHG) susceptibility of a wurtzite GaN/InxGa1-xN coupling quantum well(CQW) with strong built-in electric field was theoretically investigated.
理论考察了存在强内建电场的纤锌矿GaN/InxGa1-xN耦合量子阱体系的二次谐波产生(SHG)特性,结果发现共振SHG系数达到了10-7m/V的量级,SHG系数对耦合量子阱的结构与掺杂组份呈现非单调的依赖关系。
2.
A model for the built-in electric field in the base is developed and calculated analytically.
采用解析的方法计算了在基区掺杂为高斯分布,Ge组分分布为三角形分布和矩形三角形分布时基区内建电场的变化情况。
3) build-in internal electric field
内建电场
1.
The effects of the anisotropy of the wurtzite structure on the strain and the hydrostatic deformation potential are considered, including the build-in internal electric field.
考虑了纤锌矿结构材料的各向异性造成的内建电场的作用以及各向异性造成的应变张量和静压形变势与各向同性材料的差别。
2.
The build-in internal electric field caused by the anisotropy of wurtzite structure has been considered.
考虑了纤锌矿结构材料的各向异性造成的内建电场的作用,计算了 GaN/GaAlN量子阱内电子的激发态极化。
4) built in electric field
内建电场
1.
In principle, a mechanical signal can influence the distribution of strains in a nanostructure; a built in electric field can be produced from the variation of the strain distribution in certain conditions; the built in electric field will result in a variation of quantum states of electrons in nanosystems and the resonant tunne.
原理上讲 ,在力学信号作用下 ,纳米结构中的应力分布会发生变化 ;应力变化可引起内建电场的产生 ;内建电场将导致纳米结构中量子能态发生改变 ;量子能态改变会引起共振隧穿电流的变化。
2.
The potential profiles of MQW will be changed due to built in electric fields, from square wells into sloped wells, which lead to the increments of band offsets.
内建电场会改变多量子阱的结构 ,使其由方阱变为斜阱 ,导致其带阶发生改变。
5) Internal bias electric field
内偏置电场
6) endogenous electrical fields
内源性电场
1.
Where these events,such as embryonic development, tissue damage and abnormal cell proliferation are regulated dynamically in space and time, the flow of ions gives rise to extracellular steady direct-current electrical fields(DC-EFs), that is to say endogenous electrical fields(EEFs).
生物体内存在跨细胞电势差和跨上皮/内皮电势差,当胚胎发育、组织损伤、肿瘤发生时这些电势差被改变,在细胞外产生一种稳恒直流电场,即内源性电场。
补充资料：-戊内酯、3-甲基丁内酯、咖吗-戊内酯
CAS: 108-29-2
分子式: C5H8O2
分子质量: 100.12
沸点: 207-208℃
熔点: -31-208℃
中文名称: 4-戊内酯、γ-戊内酯、3-甲基丁内酯、咖吗-戊内酯
英文名称: dihydro-5-methyl-2(3H)-Furanone、dihydro-5-methyl-2(3h)-furanon、4-hydroxypentanoic acid lactone、4-hydroxyvaleric acid lactone、4-methyl-gamma-butyrolactone、gamma-methyl-gamma-butyrolactone、gamma-valerolakton
性质描述: 无色至微黄色液体。凝固点-31℃，沸点205-206.5℃，83-84℃（1.73kPa），相对密度（25/25℃）1.0578，折光率（nD25）1.4301。能与水、许多有机溶剂、树脂和蜡等混溶。10%水溶液的pH为4.2。
生产方法: 由不饱和羧酸通过闭环反应来合成，例如乙酰乙酸与硫酸共热，或乙酰丙酸在镍、铜等催化剂存在下加氢。
用途: γ-戊内酯有较强的反应能力，可用作树脂溶剂及各种有关化合物的中间体。也用作润滑剂、增塑剂、非离子型表面活性剂的胶凝剂、加铅汽油的内酯类添加剂，用于纤维素酯和合成纤维的染色。γ-戊内酯具有香兰素和椰子香味。我国GB2760-86规定为允许使用的食用香料。主要用以配制桃、椰子、香草等型香精。
分子式: C5H8O2
分子质量: 100.12
沸点: 207-208℃
熔点: -31-208℃
中文名称: 4-戊内酯、γ-戊内酯、3-甲基丁内酯、咖吗-戊内酯
英文名称: dihydro-5-methyl-2(3H)-Furanone、dihydro-5-methyl-2(3h)-furanon、4-hydroxypentanoic acid lactone、4-hydroxyvaleric acid lactone、4-methyl-gamma-butyrolactone、gamma-methyl-gamma-butyrolactone、gamma-valerolakton
性质描述: 无色至微黄色液体。凝固点-31℃，沸点205-206.5℃，83-84℃（1.73kPa），相对密度（25/25℃）1.0578，折光率（nD25）1.4301。能与水、许多有机溶剂、树脂和蜡等混溶。10%水溶液的pH为4.2。
生产方法: 由不饱和羧酸通过闭环反应来合成，例如乙酰乙酸与硫酸共热，或乙酰丙酸在镍、铜等催化剂存在下加氢。
用途: γ-戊内酯有较强的反应能力，可用作树脂溶剂及各种有关化合物的中间体。也用作润滑剂、增塑剂、非离子型表面活性剂的胶凝剂、加铅汽油的内酯类添加剂，用于纤维素酯和合成纤维的染色。γ-戊内酯具有香兰素和椰子香味。我国GB2760-86规定为允许使用的食用香料。主要用以配制桃、椰子、香草等型香精。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条