1) Cadmium containing materi-als
含镉材料
2) Cdl-x_Znx_Te
碲锌镉材料
3) HgCdTe
碲镉汞材料
1.
HgCdTe is a very important fundamental infrared semiconductor material for our national high technology, HgCdTe and related devices have been adopted as the key component in the region of our independent space technology and used in the weather satellite of our country.
碲镉汞材料是我国战略性高技术-红外光电技术的重要支撑性与基础性材料,已作为我国的自主技术在国家的航天领域得到了在轨应用。
4) contact materials to replace the cadmic material
代镉触头材料
5) cadmium zinc tellutide substrate material
碲锌镉衬底材料
6) energetic materials
含能材料
1.
Progresses of characterization techniques of ultrafine energetic materials;
超细含能材料表征技术研究进展
2.
Molecular design and property prediction of energetic materials;
含能材料分子设计与性能预估研究
3.
Investigation on oxygen-equilibrium effects of laser ignition of energetic materials;
含能材料激光点火的氧平衡问题研究
补充资料：碲镉汞探测器材料
分子式：
CAS号：
性质：用于制造8～14μm波段红外探测器的晶体材料,为光电导型探测器材料。在本征吸收带内具有很高的光学吸收系数(大于2000cm-1，量子效率较高，光电增益很高，电子浓度5×1014cm-3)。空穴浓度1×1016cm-3。采用在碲化镉、碲锌镉衬底上用液相外延法生长薄膜。
CAS号：
性质：用于制造8～14μm波段红外探测器的晶体材料,为光电导型探测器材料。在本征吸收带内具有很高的光学吸收系数(大于2000cm-1，量子效率较高，光电增益很高，电子浓度5×1014cm-3)。空穴浓度1×1016cm-3。采用在碲化镉、碲锌镉衬底上用液相外延法生长薄膜。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条