1) insulated gate bipolar transistor(IGBT)
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)
2) high-voltage insulated gate bipolar transistor(HV-IGBT)
HV-IGBT(高压绝缘栅双极型晶体管)
3) insulated gate bipolar transistor (IGBT) drive
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)驱动
4) Low cost IGBT
低损耗绝缘栅双极型晶闸管(IGBT)
5) power supply/IGBT
电源/绝缘栅双极晶体管(IGBT)
6) isolation gate bipolar transistor(IGBT)
绝缘栅极双极型晶体管
补充资料：双极型晶体管
| 双极型晶体管 bipolar transistor 由两个背靠背PN结构成的具有电流放大作用的晶体三极管。起源于1948年发明的点接触晶体三极管，50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。双极型晶体管有两种基本结构：PNP型和NPN型。在这3层半导体中，中间一层称基区，外侧两层分别称发射区和集电区。当基区注入少量电流时，在发射区和集电区之间就会形成较大的电流，这就是晶体管的放大效应。双极型晶体管是一种电流控制器件，电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比，双极型晶体管开关速度快，但输入阻抗小，功耗大。双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高，已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域，起放大、振荡、开关等作用。 |
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参考词条