2) CCD driver
CCD驱动器
1.
Thermal design of CCD driver and its temperature changing in the course of taking picture of space remote sensor;
遥感器CCD驱动器热设计及其在摄像过程中的温度变化
2.
Bias voltages of CCD are designed by LM117T and LM317T;CCD drivers are designed with DS0026;the programmable logical device of the EPF10K30RI240-4 of Company Altera is used for the design of CCD driving time order.
针对e2v公司的CCD67BackIlluminatedNIMO型CCD,对其驱动能力进行详细的分析;选用LM117T和LM317T设计CCD所需的偏置电压;DS0026来完成设计CCD驱动器;Altera公司的可编程逻辑器件EPF10K30RI240-4来设计CCD的驱动时序。
3.
A method for forming programmed CCD driver with a MCS-51 single-chip computer is provided.
介绍用MCS-51单片机、使用单周期指令编程形成编程式CCD驱动器的方法。
4) drive circuit
驱动电路
1.
Drive Circuit Design of Power MOSFET for Control System of BLDC;
一种用于无刷直流电机控制系统的MOSFET栅极驱动电路
2.
The design of drive circuit of a LED display system;
LED显示屏系统驱动电路设计
3.
Design of the backplane CMOS drive circuit for TN-LCD;
一种TN-LCD背电极CMOS驱动电路的设计
5) driving circuit
驱动电路
1.
Design of piezoelectric ceramics needle picker and its driving circuit;
压电陶瓷选针机构及其驱动电路的设计
2.
Design of portable inverter for driving circuit;
便携式逆变器逆变控制驱动电路
3.
Analysis of IGBT damage under load fluctuation and optimal design of driving circuit;
负载波动下IGBT损坏分析及驱动电路优化设计
6) driver circuit
驱动电路
1.
Study on Driver Circuit of Micro Quartz Tuning Fork Gyroscope;
微石英音叉陀螺驱动电路分析
2.
The driver circuit design of NC step motor;
数控步进电机驱动电路的设计
3.
Optimization design and simulation analysis on high power GTO driver circuit;
大功率GTO门极驱动电路的优化设计与仿真分析
补充资料：高压功率MOSFET门极驱动电路
高压功率MOSFET门极驱动电路
high voltage power MOSFET gate driver
gooyo gongl口MOSFET men}{目udongd一on{日高压功率MOSFE丁门极驱动电路(highvoltage Power MOSFET gate driver)用来开关高压电路中功率MOSFET的门极控制电路，又称高压浮动MOS门极驱动器。 对门极驱动电路的要求 (1)功率MOSFET位于高电位主电路中，而驱动电路位于低电位，因此一般需要电气隔离。、 (2)驱动门极的控制信号幅值应满足10~15V。由子功率MOSFET的门极与源极之间存在极间电容，故门极驱动必须提供该极间电容充放电所需的功率。(3)应具有一定的保护功能。 驱动电路的隔离方法 (l)光隔离:采用光祸合器，电路中每个功率MOSFET需要一个隔离电源，电路复杂，价格较贵，体积大，但开关很快，信号传播延时小。 (2)磁隔离:采用脉冲变压器，电路简单，费用可行，但对占空比很宽的脉冲信号进行祸合需要复杂的技术，信号频率较低时，变压器尺寸显著增加，寄生参数将会使快速开关波形畸变。 驱动电路技术发展很快，现已生产多种驱动IC芯片。进入90年代以来，一种高性能的新型高压浮动MOS门极驱动器IC芯片投人使用，使得MOS功率器件的门极驱动更加完善和易于实现。新型组件能直接驱动低电位开关，而且因具有悬浮输出，故又能直接驱动高电位开关。例如IR213o组件为六输出门极驱动器，在三相逆变电路中，用一片组件，一个千15V直流电源就可同时驱动六个功率MOSFET，使电路大为简化。它还具有以下性能:输出电阻值较小，门极极间电容可快速充放电，提高了功率器件开关速度，开关损耗低;在高频及最高允许工作电压下内部损耗较小。门极欠压、过压或负载电流超过预定峰值时，门极信号钳位于低电平，以保护功率开关器件。 绝缘栅双极型晶体管(I GBT)也属于门极电压驱动的功率器件，故上述的门极控制电路也适用于高电位的IGBT。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条