1) electrostatic discharge
静电泄放
1.
Design of a gate-coupled electrostatic discharge protection structure;
栅耦合型静电泄放保护结构设计
2.
On-chip electrostatic discharge(ESD)protection design has become an emerging challenge for radio-frequency(RF)integrated circuits(IC)design as IC technologies migrate into the very-deep-sub-micron(VDSM)regime and RF ICs move into multi-GHz operations.
随着集成电路(IC)工艺进入深亚微米水平,以及射频(Radio-Frequency,RF)IC工作频率向数千兆赫兹频段迈进,片上防静电泄放(ESD)保护设计越来越成为RF IC设计的挑战。
3.
A novel ESD protection design method is proposed instead of the traditional experience-based trial-and-error electrostatic discharge (ESD) design approach.
提出了一种新的静电泄放(electrostatic discharge,ESD)保护电路设计方法。
2) ESD
静电泄放
1.
A novel ESD clamp protection circuit named gate-controlled SCR cascade diode string(gcSCR-CDS) is proposed.
提出了一种新型抗静电泄放(ESD)钳位保护电路——栅控可控硅级联二极管串(gcSCR-CDS)结构。
3) electro-static discharg(eESD)
静电泄放(ESD)
4) new-model passive electrostatic release device
新型静电泄放装置
5) electrostatic leakage
静电漏泄
6) leakage circuit
泄放电路
补充资料：静电放电抗扰性试验
静电放电抗扰性试验
electrostatic discharge immunity test
试验波形与严酷等级国际电工委员会(IEC)有关标准中规定，静电放电电流波形如图1所示。试脸的严酷等级分为四级，更严酷的特殊情况可由有关方面另定，如表所示。表中，接触放电适用于试品表面为导电体的情况;空气中放电适用于试品表面有绝缘 漆膜的情况。严酷等级的选择须根据具体的 环境条件。例如:采用了抗静电材料、环境 相对湿度不小于35%.可选1级;若人着化 纤服装，未采取其他防静电措施，环境相对 湿度可能小于10%，则应选4级，甚至更高 的级别。 试验设备试验设备原理图如图2.图 中，储能电容器CS模拟人体的电容;放电电 阻Rd模拟人握有例如钥匙或工具等金属物 体时的电阻。试验时，端子A接规定形状的 尖端放电电极，端子B接规定特性的接地参 考平面。表中规定的试验电压是指未放电前 储能电容器CS的充电电压。标准中规定:当 放电时，装置必须能产生足够大的电流，例如 对1级严酷等级放电电流的尖峰值应为7.5 A.而对于4级，则应为30A。
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参考词条