1) Piezoresistance
压阻原理
2) piezoresistance
压阻
1.
The basic principle of silicon micro-accelerometers is explained and several kinds of them with different structures are investigated,including piezoresistance type,capacitive type,tunneling-etlect type,etc.
介绍了硅微加速度计的基本原理以及国内外最新发展的几种硅微加速度计的结构形式,包括压阻式、电容式、隧道式等,分析了这些传感器的基本特点,总结出它们在传感器性能方面存在的一些问题,提出了一些解决关键问题的措施,并对目前两种新的微机理:共振隧穿和介观压阻效应的原理和应用前景进行了论述。
2.
A calculating expression of the piezoresistances (PR) is obtained by using the valence band split-off model.
在价带分裂模型下得到了压阻的计算公式,计算了微应力作用下金刚石膜的压阻,压阻和应力的变化(Δε)有比较好的线性关系,张应力情况下压阻大于零,压应力情况下压阻小于零。
3.
The intrinsic colossal magnetoresistance and a giant piezoresistance have been observed.
比较磁阻与压阻行为，可以预示，两者可能源于同一机
3) piezoresistive
压阻
1.
Design of a novel silicon piezoresistive flow sensor;
一种新型硅压阻式流速流向传感器的设计
2.
A silicon machined high-performance monolithic triaxial piezoresistive accelerometer is developed for measurements on the order of 100,000g.
设计、制造并测试了一种单片集成的压阻式高性能三轴高g加速度计,量程可达105g。
3.
A silicon micromachined high performance piezoresistive accelerometer is developed for crash assessment.
研究了一种主要应用于碰撞测试领域的硅微机械高性能压阻式加速度计,量程范围为2 000gn。
4) pressure resistance
压阻
1.
The operating principle and relative application circuit of pressure resistance sensor are presented in this paper.
介绍了压阻式传感器的工作原理以及相关应用电路 ,并给出了一个应用示例加以说
5) piezoresistivity
压阻
1.
In order to design and fabricate the flexible force sensor, we have researched the piezoresistivity of silicon rubber/carbon black composites and given the academic calculation formula between pressure and electrical resistivity.
我们对柔性挤压应力传感器 ,炭黑 /硅橡胶复合材料的压阻特性进行了研究 ,提出了其压力 -电阻的简化理论计算公式。
6) piezoresistor
压阻
1.
A super-stable structure with quad-beams,which has highly symmetric structure has been designed ,and this help to eliminate the errors caused by the change of the dimension and position of the piezoresistors in structure.
论文简述了微电子机械系统(MEMS)技术的发展概况，并对MEMS压阻式加速度传感器进行了研究。
参考词条
补充资料：半导体的压阻效应
指应力作用下半导体电阻率的变化。在一些半导体中有相当大的压阻效应，这与半导体的电子能带结构有关。
压阻效应是各向异性的，要用压阻张量π(四阶张量)来描述,它与电阻率变量张量δ ρ(二价张量)和应力张量k(二阶张量)有如下关系:π:k。由于对称二阶张量只有六个独立分量, 故亦可表达成这样，压阻张量可用6×6个的分量来表达。根据晶体对称性，像锗、硅及绝大多数其他立方晶系的半导体，压阻张量只有三个不等于零的分量，即π11、π12和π44。
测量压阻效应，通常有两类简单加应力的方法：①流体静压强效应。这时不改变晶体对称性，并可加很大的压强。锗、硅的电阻率都随压强增大而变大。②切应力效应。利用单轴拉伸或压缩，这时会改变晶体对称性。压阻系数Δ ρ/ ρk，与外力方向、电流方向及晶体结构有关。对锗、硅，压阻系数如下表所示：
20世纪50年代起，压阻效应测量曾作为研究半导体能带结构和电子散射过程的一种实验手段，对阐明锗、硅等主要半导体的能带结构起过作用。锗和硅的导带底位置不同,故其压阻张量的分量大小情况也不同。N型锗的π44比π11、π12大得多,而N型硅的π11却比π12、π44大。这表明锗导带底在<111>方向上，硅导带底在<100>方向上。对于P型半导体,也有过一些工作。利用压阻测量和别的实验（例如回旋共振等）,取得一系列结果,对锗、硅等的能带结构的认识具体化了。
现在,半导体的压阻效应已经应用到工程技术中,采用集成电路工艺制造的硅压阻元件(或称压敏元件)，可把力信号转化为电信号，其体积小、精度高、反应快、便于传输。
压阻效应是各向异性的，要用压阻张量π(四阶张量)来描述,它与电阻率变量张量δ ρ(二价张量)和应力张量k(二阶张量)有如下关系:π:k。由于对称二阶张量只有六个独立分量, 故亦可表达成这样，压阻张量可用6×6个的分量来表达。根据晶体对称性，像锗、硅及绝大多数其他立方晶系的半导体，压阻张量只有三个不等于零的分量，即π11、π12和π44。
测量压阻效应，通常有两类简单加应力的方法：①流体静压强效应。这时不改变晶体对称性，并可加很大的压强。锗、硅的电阻率都随压强增大而变大。②切应力效应。利用单轴拉伸或压缩，这时会改变晶体对称性。压阻系数Δ ρ/ ρk，与外力方向、电流方向及晶体结构有关。对锗、硅，压阻系数如下表所示：
20世纪50年代起，压阻效应测量曾作为研究半导体能带结构和电子散射过程的一种实验手段，对阐明锗、硅等主要半导体的能带结构起过作用。锗和硅的导带底位置不同,故其压阻张量的分量大小情况也不同。N型锗的π44比π11、π12大得多,而N型硅的π11却比π12、π44大。这表明锗导带底在<111>方向上，硅导带底在<100>方向上。对于P型半导体,也有过一些工作。利用压阻测量和别的实验（例如回旋共振等）,取得一系列结果,对锗、硅等的能带结构的认识具体化了。
现在,半导体的压阻效应已经应用到工程技术中,采用集成电路工艺制造的硅压阻元件(或称压敏元件)，可把力信号转化为电信号，其体积小、精度高、反应快、便于传输。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。