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1)  SRAM
静态随机存取存储器
1.
The Single Event Effect(SEE) simulation experiment was carried out on proton accelerators for Static Random Access Memories(SRAMs).
应用质子直线加速器进行了静态随机存取存储器(SRAM)的单粒子效应模拟实验研究。
2.
The SEU heavy ion LET thresholds were between 4~8MeV·cm 2/mg and the saturation SEU cross sections were of the order of 10 -7 cm 2·bit -1 , for IDT and HM series Static Random Access Memories (SRAMs).
应用重离子加速器和 2 52 Cf源进行单粒子翻转效应实验 ,测量得到 IDT系列和 HM系列静态随机存取存储器的单粒子翻转重离子 L ET阈值为 4~ 8Me V· cm2 /mg,单粒子翻转饱和截面为 10 -7cm2 · bit-1量级 ,位单粒子翻转截面随集成度的提高而减小。
3.
Expermental methods were emphatically described for measuring the proton Single Event Upset (SEU) cross section in Static Random Access Memories (SRAMs).
描述了测量静态随机存取存储器质子单粒子翻转截面的实验方法。
2)  static random access memory
静态随机存取存储器
1.
The manufacture of system for testing static random access memory radiation effect;
静态随机存取存储器辐射效应测试系统的研制
2.
Full Custom Design and Realization of Static Random Access Memory IP Core;
静态随机存取存储器IP核全定制设计与实现
3)  SRAM
静态随机存储器
1.
Total Dose Radiation Hardened PDSOI CMOS 64k SRAMs;
总剂量辐照加固的PDSOI CMOS 64k静态随机存储器(英文)
2.
Total Dose Resistance in PDSOI SRAM;
PDSOI静态随机存储器的总剂量辐照加固
3.
The Characteristic Study of Data Remanence of SRAM;
静态随机存储器数据残留特性研究
4)  static random access memory
静态随机存储器
5)  static random access memory
随机静态存储器
1.
Low-energy neutron-induced single-event upsets in static random access memory
随机静态存储器低能中子单粒子翻转效应
6)  SRAM Full-CMOS
静态随机存取存储器全CMOS
补充资料:随机存取
      系统仅对要处理的记录进行访问和修改,即被处理的记录在文件中的位置是随机的。在数据文件中,某个独立项,例如库存、信贷支票等,只有在需要处理时,才把有关的记录取出,修改后写回原来位置,而对其他记录不作任何修改或处理。随机访问是根据事务的标志键来访问与它相匹配的主记录。每个事务有不同的标志键,处理机将此标志键与文件中各记录的标志进行比较,找出与它匹配的主记录。在随机访问处理中,输入的顺序不必像顺序批处理那样严格地与文件顺序一致,输入的信息也不必事先进行分类和排序。随机访问处理所使用的存储设备应使系统能够很快地确定任何一个特殊项的位置,一般不用磁带作为存储介质,因为所需记录在磁带上的位置可能与磁带目前的位置有很大距离,需要来回查找,花费很多时间。随机访问所用磁记录空间比顺序批处理的要小,文件活动性低,记录可用于其他程序如联机查询等。
  

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参考词条