1) semi-parametric
半参数
1.
Application of semi-parametric model to deep pit horizontal displacement data processing;
半参数法在基坑深层水平位移数据处理中的应用
2.
Local linear estimation by GMM with variable bandwidth for semi-parametric simultaneous equations models in econometrics;
半参数计量经济联立模型的局部线性广义矩变窗宽估计
3.
In order to make the prediction more precise and feasible,a semi-parametric model for predicting the electric power demand composed of linear parameter and non-linear parameter was established.
在简要介绍和评论以往国内外常用电力需求预测方法优缺点基础上,为了提高电力需求预测的准确度及预测方法的适应性,建立半参数回归模型预测电力需求。
2) Semiparametric
半参数
1.
Influence Analysis on Semiparametric Generalized Linear Mixed Model;
半参数广义线性随机效应模型的影响分析
2.
A Semiparametric Analysis of House Price Indices;
商品房价格指数的半参数分析
3.
Taking into consideration the effects of input signal and the interference of model errors in deformation analysis,a new method of semiparametric AR model which considering the impacts of input signal is introduced.
在变形分析中,为了考虑输入信号对变形体的影响及模型误差的干扰,提出顾及输入信号影响的半参数AR模型,并通过实验分析取得较好的建模和预报效果,达到对现有AR模型精化的目的。
3) half parametric
半参数化
1.
The paper also mentions to "half parametric" method to produce procesing files automatically.
在工序图自动绘制方面,本文还提出了一种“半参数化”自动生成技术。
4) semi-parametric approach
半参数法
1.
To compute the oil market value at risk by applying semi-parametric approach;
应用半参数法计算石油市场风险价值
5) radius parameter
半径参数
1.
The HBT radius parameters and the HBT λ-parameters of single Gaussian source and double Gaussian source are investigated by using two-pion correlation function in HBT intensity interferometry.
利用理想高斯源的两粒子关联函数 ,对单高斯源和双高斯源的两π介子HBT关联效应进行了研究 ,得出了相应的半径参数和λ参数 。
6) semi-parametric GARCH
半参数GARCH
1.
The paper studies the applicability of multifariously parametric and semi-parametric GARCH models in modeling the volatility of gold Au99.
95品种的长时间序列进行了参数、半参数的GARCH建模,研究了半参数GARCH模型在拟合黄金波动方面的适用性。
补充资料：半导体材料电学参数测量
半导体材料电学参数测量
electric parameter measurement for semiconductor material
bondaot一eaillao dlonxue eanshu Cellong半导体材料电学参数测量(eleetric parame-ter measurement for semieonduetor material) 电学参数是半导体材料测量的重要内容。它主要包括导电类型、电阻率、寿命和迁移率测量。 导电类型测量半导体的导电过程存在电子和空穴两种载流子。多数载流子是电子的称n型半导体;多数载流子是空穴的称p型半导体。测量导电类型就是确定半导体材料中多数载流子的类别。常用的方法有冷热探针法、整流法等。冷热探针法是利用温差电效应的原理，将两根温度不同的探针与半导体材料表面接触，两探针间外接检流计〔或数字电压表)形成一闭合回路，根据两个接触点处存在温差所引起的温差电流(或温差电压)的方向可以确定导电类型。整流法是利用金属探针与半导体材料表面容易构成整流接触的特点，可根据检流计的偏转方向或示波器的波形测定导电类型。常用三探针或四探针实现整流接触。霍耳效应亦可测定半导体材料的导电类型。 电阻率测量电阻率是长km，截面积Icm“材料的电阻，它反映了半导体材料导电能力的大小。测量电阻率的方法较多，最基本的有两探针法、直线四探针法、扩展电阻法和专门用于薄片状半导体材料的范德堡法等。两探针法是在一电阻率均匀的规则样品上通过恒定的直流电流，两根沿电流方向排列的探针与样品压触，测量两根探针间的电位差(图1)。 片!遥里熬 图1两探针法测量半导体电阻率示意图 电阻率可用下式计算: :一令又登式中VT为探针间的电位差，mV;I为通过样品的直流电流，mA;A为样品截面积，。m“;L为探针间距，Cm。直线四探针法是用一直线排列的四根探针与一相对于探针间距是半无穷大的样品表面压触，外面探针通过恒定直流电流，测定中间两根探针的电位差(图2)。夔厂- 图2四探针法测量半导体电阻率示意图 样品的电阻率可用下式计算: V。 P=2二S只专望 ‘，~‘、乙魂式中S为探针系数，cm;v23为中间两根探针电位差的测量值，mV;11、为通过样品的电流，mA;对于直线排列的四探针，探针系数S为: s一(冬+粤一尸份一二共-)一: 一、S一53 51+S:52+532式中51、S。和53分别为相应的探针间的距离，cm。
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参考词条