1) Micro-resonator
微谐振器
1.
The nonlinear dynamic character analysis, which is considered nonlinear air damping force, about lateral micro-resonator is studied.
针对横向振动MEMS微谐振器,计入非线性空气阻尼力,对微谐振器非线性动力学特性进行研究。
2) microresonator
微谐振器
1.
The mechanical model of laterally oscillating microresonators was analyzed through static and modal simulation by the software of ANSYS,and the harmonic response of the structure was also studied.
通过ANSYS有限元仿真软件对横向振动微谐振器进行静态、模态和谐响应仿真分析。
3) microstrip resonator
微带谐振器
1.
The microwave response of YBa2Cu3O7/LaAlO3 (YBCO/LAO) and YBa2Cu3O7/MgO (YBCO/MgO) superconducting thin films was studied by microstrip resonator technique.
通过测量微带谐振器的共振频率、有载品质因数、插入损耗与温度之间的依赖关系,分析了超导薄膜的微波特性,获得了超导薄膜在绝对零度时的穿透深度λ0。
2.
It is significant to calculate the coupling coefficient of coupling microstrip resonators accurately and to identify the character of electromagnetic coupling for designing the microstrip filter.
最后,本文研究了两个微带谐振器之间的电磁耦合特性,提出通过场值计算电磁耦合系数,比较两者的大小来判断耦合类型的方法,通过计算验证了方法的正确性。
3.
The microstrip filter is widely used in the field of communication,and its basic unit isthe open-circuited microstrip resonator.
微带滤波器在通信领域中应用广泛,其基本组成单元是开路微带谐振器。
4) microwave resonator
微波谐振器
1.
Fabrication process,structure and its effect on parameters of low temperature co-fired chip ceramic microwave resonators were presented.
介绍了低温共烧陶瓷片式微波谐振器的工艺过程、结构以及结构对谐振器参数的影响 ,谐振器与外电路的耦合采用耦合间隙在同一层内实现 ,这种新结构既可给制备工艺带来方便 ,又可减少工艺所带来的误差 。
2.
Fabrication process, structure and its effect on parameters of chip multilayer ceramic microwave resonators were presented.
介绍了片式陶瓷微波谐振器的工艺过程、谐振器的结构以及结构对谐振器参数的影响,谐振器与外电路的耦合采用耦合间隙的方法与谐振单元在同一层内实现,这种新结构既可给制备工艺带来方便,又可减少工艺所带来的误差。
3.
A practical method of measuring microwave resonator unloaded Q-factor is presented,which could eliminate phase shift of feed line when Q-factor is estimated by critical-points method.
提出了一种实用的测量微波谐振器无载品质因素的方法,在临界点法的基础上,消除了馈线引入的相移。
5) silicon micro-resonator
硅微谐振器
1.
The working principle of silicon micro-resonator system was firstly introduced.
介绍了硅微谐振器系统的工作原理,重点给出了一种基于新型的DDS器件AD9954的智能谐振系统设计与实现。
6) silicon microresonator
硅微谐振器
1.
s: An experimental study on the photothermal excitation of bi-layered silicon microresonator is presented.
对镀膜双层硅微机械谐振器的光热激励进行了实验研究 ,在大气环境下对硅微谐振器进行了光激电拾实验测试和光激光拾实验测试。
补充资料：电力系统电压互感器谐振过电压
电力系统电压互感器谐振过电压
resonance overvoltage due to potential transformer in electric power system
南定理，可将三相对地电容等效连接在电撅变压器和互感器的两个中性点之间，由此着出，谐振属于零序性质。无论是电源合闸至空载母线所引起的电压互感器的涌流现象，还是线路中发生对地闪络和熄弧后C。中残余电荷经电压互感器放电所引起的磁饱和现象，都会在一定的C0值下激发起谐振过电压，它表现为电力系统中性点发生位移，并全部反映至开口三角形绕组，引起虚幻的接地故障信号。这是配电网中造成故障最多的一种内部过电压. 图1中性点不接地系统中三相电压 互感器接线图和等效谐振回路(a)三相电压互感导接线图;(b)等效谐振回路 由于谐振的零序性质，导线的相间电容、余弦电容器和传愉的三相有功负荷均对谐振不起作用。 随着C。的增加(即导线增长)，将依次发生高频、工频和分频谐振。在很短的空母线合闸时，C0很小，会产生3倍以上的高频谐振过电压。较大的c0则会出现工频谐振过电压，此时一相对地电压很低，其它两相的对地电压接近于线电压，故工频谐振和单相接地现象往往难以区别。当母线上的出线较长时，C。很大将会发生分频谐振，其频率略低于电源颇率的一半，电压表的指针会发生低频摆动，谐振电压分t和开口三角形电压接近于相电压，由于此时谐振频率和相应的励磁感抗减半，互感器趋于深度磁饱和，励磁电流急剧增大，高达额定值的数十倍以至百倍以上，从而造成互感器的发热、喷油以至爆炸。在高频和分频谐振时，三相对地电压同时升高。 可以通过两种途径来抑制上述谐振现象.其一是采取阻尼吸能措施，即在开口三角形绕组两端临时并接一个低值电阻(在6一10kV小电网中，可用200~50ow的白炽灯泡)或将互感器高压中性点经大电阻接地。其二是破坏谐振条件，即人为地增大对地电容使之超过某一临界值，或将开口三角形绕组临时短接，或将互感器高压中性点临时不接地，或将电网改为通过消弧线圈接地。d旧nl一x一tongd旧nyo hugonq一x旧zhen guod{anyo电力系统电压互感公谐振过电压(resonanceovervoltage due to potential transformer inelectrie power system)电磁式电压互感器由于铁芯磁饱和引起的铁磁谐振过电压。在中性点不接地和直接接地电力系统中均有可能发生. 中性点不接地系统中电压互感器的谐振过电压图1中电源变压器的中性点不接地，电压互感器的中性点直接接地，其励磁电感La、L。和Lc分别与导线和母线的对地电容C。相并联而形成谐振回路。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条