1) Si oxidation points
Si氧化点
2) Si oxidation lines
Si氧化线
1.
According to the results, the best experiment conditions of getting high-quality Si oxidation lines: bias voltage of 8V and scanning speed of 1 μm/s.
研究了在不同的偏置电压和扫描速度下加工的Si氧化线的一致性和均匀性,得到了加工高质量的Si氧化线的实验条件为:偏置电压8V,扫描速度1 μm/s。
3) Al-Si oxide
Al-Si氧化物
4) silicon rich silicon oxide
富Si氧化硅
1.
Room temperature photoluminescence (PL) has been observed from Er doped silicon rich silicon oxide films grown by magnetron sputtering.
用磁控溅射淀积不同富Si程度的掺Er富Si氧化硅薄膜 。
5) Ti-Si dioxide composite
Ti-Si复合氧化物
6) Zr-Si mixed oxide
Zr-Si复合氧化物
补充资料：银-金属氧化物触点材料
分子式：
CAS号：
性质：银基含有镉、锌、锡、铟、铜等金属元素的合金，经过内氧化处理，各添加元素变成金属氧化物弥散在银基体中，从而提高了银合金的使用寿命。有Ag-12CdO-1T，Ag-15CdO-1T，Ag-10ZnO-1T，Ag-6SnO2-4In2O3-1T 和Ag-10SnO2-4In2O3-1T等合金。布氏硬度分别为690～1225MPa、740～1265MPa、740～1265MPa、720～1255MPa和820～1325MPa；电阻率分别为3.4μΩ·cm、3.5μΩ·cm、3.5μΩ·cm、3.3μΩ·cm和3.5μΩ·cm。熔炼-压力加工及冲压成型-内氧化方法，或粉末冶金-压力加工-冲压成型方法制造。主要作各种低压开关电器的触点(T添加元素)。
CAS号：
性质：银基含有镉、锌、锡、铟、铜等金属元素的合金，经过内氧化处理，各添加元素变成金属氧化物弥散在银基体中，从而提高了银合金的使用寿命。有Ag-12CdO-1T，Ag-15CdO-1T，Ag-10ZnO-1T，Ag-6SnO2-4In2O3-1T 和Ag-10SnO2-4In2O3-1T等合金。布氏硬度分别为690～1225MPa、740～1265MPa、740～1265MPa、720～1255MPa和820～1325MPa；电阻率分别为3.4μΩ·cm、3.5μΩ·cm、3.5μΩ·cm、3.3μΩ·cm和3.5μΩ·cm。熔炼-压力加工及冲压成型-内氧化方法，或粉末冶金-压力加工-冲压成型方法制造。主要作各种低压开关电器的触点(T添加元素)。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条