1) Complementary bipolar CMOS
互补双极CMOS
2) Complementary bipolar
互补双极
1.
The process is compatible to the existing double poly-silicon self-aligned NPN transistor process,which can be used to fabricate high-performance complementary bipolar circuits.
该工艺与已有的双层多晶硅自对准NPN晶体管工艺相兼容,可用于制造高性能的互补双极电路。
3) bipolar-CMOS(BiCMOS)
双极型-CMOS
1.
5 μm bipolar-CMOS(BiCMOS) technology with an area of 2.
5μm双极型-CMOS(BiCMOS)工艺实现,芯片面积为2。
4) BICMOS
双极型CMOS
5) CMOS complementary logic
CMOS互补逻辑
1.
The low power consumption was obtained by using CMOS complementary logic.
基于CMOS互补逻辑的电路结构降低了的功耗,实现了与核心电路的电平匹配。
2.
The low power consumption is obtained by using CMOS complementary logic.
CMOS互补逻辑结构降低了电路的功耗。
6) Complementary bipolar process
互补双极工艺
补充资料：“质子-电子偶极-偶极”质子弛豫增强
“质子-电子偶极-偶极”质子弛豫增强
物理学术语。原子核外层中不成对的电子质量小，但磁动性很强，可使局部磁场波动增强，促使氢质子弛豫加快，从而使T1和T2缩短，这种效应即为PEDDPRE。过渡元素和镧系元素大部分在d和f轨道有多个不成对电子，所以其离子往往具有PEDDPRE，可用来作顺磁性对比剂，如钆(Gd)。Gd在外层有7个不成对电子，具有很强的顺磁性。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条