1) oxide charge
氧化物电荷
1.
The characteristic and mechanism of the radiation inducing damage in the Si/SiO_2 system were explored from the view of the generation of the oxide charges and interface states,and,especially,the change of the energy band of interface states.
对比了目前常用的三种用54HC电路制作工艺制作的MOS电容的总剂量辐射实验结果,并从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及其界面态的能量分布变化等角度,研究了在不同制作工艺条件下,54HC电路Si/SiO2系统总剂量辐射损伤特性。
2.
The experimental data have shown that reducing E’ center and tri valence silicon dangling bond defects at Si/SiO 2 interface in fluorinated oxides result in less generation of initial oxide charges and interface states induced by processes.
其结果表明 :F减少工艺过程引入栅介质的 E’中心缺陷和补偿 Si/ Si O2 界面 Si悬挂键的作用 ,将导致初始氧化物电荷和界面态密度的下降 ;栅 Si O2 中的 F主要以 F离子和 Si- F结键的方式存在 ;含 F栅介质中部分 Si- F键替换 Si- O应力键而使 Si/ Si O2 界面应力得到释放 ,以及用较高键能的 Si- F键替换 Si- H弱键的有益作用是栅介质辐射敏感性降低的根本原因 ;含 F CMOS电路辐射感生漏电流得到抑制的主要原因是场氧介质中氧化物电荷的增长受到了明显抑制。
2) Oxide charges
氧化物电荷
1.
The characteristics of MOS structures’ damage induced by SHE and its correlation with that induced by TDI have been studied from the view of changes of oxide charges and interface states as wll as the distribution of the interface state with the energy.
通过对国产加固 N型 MOS电容进行衬底热电子高场注入 ( SHE)及 γ总剂量辐照实验 ,特别是进行总剂量辐射损伤后的热载流子损伤叠加实验 ,从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及其界面态的能量分布变化等角度研究比较了 MOS结构热载流子损伤特性及与电离辐射损伤的关系。
2.
The C V curves of these films MOS capacitors indicated that their flatband voltage are positive,oxide charges are negative.
55范围 ;MOS电容的高频C V特性曲线表明 ,平带电压为正 ,计算得氧化物电荷的电性为负 ,密度为 6。
3) oxide trapped charge
氧化物陷阱电荷
1.
Gamma-irradiation induced oxide trapped charge and interface charge in Power VDMOS;
Power VDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷
4) Fixed oxide charge
氧化层固定电荷
6) piperazine sulfur dioxide charge transfer complex
哌嗪二氧化硫电荷转移复合物
补充资料：钴钼氢氧化物氧化物磷酸盐
CAS：68130-37-0
中文名称：钴钼氢氧化物氧化物磷酸盐
英文名称：Cobalt molybdenum hydroxide oxide phosphate； Molybdenum cobalt acid phosphate complex； Molybdenumcobaltacid phosphate complex
中文名称：钴钼氢氧化物氧化物磷酸盐
英文名称：Cobalt molybdenum hydroxide oxide phosphate； Molybdenum cobalt acid phosphate complex； Molybdenumcobaltacid phosphate complex
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条