1) photo-magnetoelectric effect
光磁电效应
1.
The non-linear properties of the photo-magnetoelectric effect in the case of large signal are disc.
从Shockley-Read统计出发,引入载流子寿命与浓度的相关性,把载流子的输运方程化为了二阶非线性微分方程,用摄动法找到了方程的一阶近似解,并计算了半导体材料的短路电流和光导电流,揭示了大信号情况下半导体光磁电效应的非线性特征。
2) photoelectronagnetic effect
光电磁效应
3) longitudinal photomagnetoelectric effect
纵向光磁电效应
4) magneto-optical effect
磁光效应
1.
Research on mechanism of magneto-optical effect improving in quantum dots magnto-optical materials;
量子点磁光材料的磁光效应增强机理研究
2.
The influence of the spin-orbit coupling on the magneto-optical effects in Nd:YIG;
Nd:YIG中旋轨耦合对磁光效应的影响
3.
Quantum theory of the magneto-optical effect of Nd-substituted yttrium iron garnet;
含钕石榴石磁光效应的量子理论
5) magneto-optic effect
磁光效应
1.
Analysis of the effect of magneto-optic effect on BB84 protocol;
磁光效应对BB84协议的影响分析
2.
With the method of Jones matrix,formulas for intensity of transmitted light through the optical analyzer of various composition of electro-optic effect with magneto-optic effect are derived.
为了探讨用光学方法测量电力系统中的物理量,根据琼斯矩阵法推出了电光效应与磁光效应组合光调制的公式。
3.
To improve the accuracy, anti-interference capability and adaptability of high-direct-current measurement, a novel method based on Faraday magneto-optic effect, angle-comparison technology and removable magnetic structure with air-gap is presented.
针对工业生产现场对直流大电流测量的高精度、强抗干扰性和灵活性要求 ,提出了基于法拉第磁光效应原理、角度比较技术和可拆卸式气隙磁路结构的新型电流测量方法 ,分析了其工作原理 ,给出了结构设计 ,对额定电流为 8k A的样机装置进行了实验。
6) magneto-optical effects
磁光效应
1.
A fundamental formula of Kerr magneto-optical effects is deduced accord- ing to classical theories concerning electro-magnetic fields when the medium is anisotropic, this formula can lend to an known formula when the medium is isotropic.
本文应用经典电磁理论,导出了光学各向异性条件下,Kerr 磁光效应对入射光偏振态的影响表达式,计算结果包含了各向同性的情况。
补充资料：磁电效应
包括电流磁效应和狭义的磁电效应。电流磁效应是指磁场对通有电流的物体引起的电效应，如磁阻效应和霍耳效应；狭义的磁电效应是指物体由电场作用产生的磁化效应或由磁场作用产生的电极化效应如电致磁电效应或磁致磁电效应。
磁阻效应 外加磁场后，由磁场作用引起物质电阻率的变化。对于非铁磁性物质，外加磁场通常使电阻率增加,即产生正的磁阻效应。在低温和强磁场条件下,这效应显著。对于单晶，电流和磁场相对于晶轴的取向不同时，电阻率随磁场强度的改变率也不同，即磁阻效应是各向异性的。
铁磁体在居里温度以下，其磁阻效应与非铁磁体的不同。以图1给出的多晶镍棒的实验数据为例。在弱磁场下的技术磁化区，电阻率的相对变化 有较大的值。电流与磁场平行时具有正号。而电流与磁场垂直时具有负号。在顺磁磁化过程存在的强磁场区，和都伴随真实磁化强度增加而减少。
铁磁单晶的磁阻效应也是各向异性的,值的大小与电流和磁化强度相对于晶轴的取向有关。
霍耳效应 在磁场中，通有电流的物体，沿着垂直于与电流和磁场方向产生电场，导致出现电位差的现象。原因是由于运动载流子受到磁场的作用。
霍耳效应产生的霍耳电场与电流密度J、磁通密度B的关系为E＝RH(B×J), (1)
式中RH称为霍耳系数。与导体的电导率σ、载流子的迁移率μ有如下关系。 (2)
对铁磁物质，霍耳电场E由样品的磁化强度M决定E＝RI(M×J), (3)
式中铁磁体的霍耳系数RI一般比非铁磁体的霍耳系数RH大。除此之外，铁磁体、亚铁磁体和反铁磁体的霍耳系数与温度的依赖关系表现出很多反常现象。
狭义的磁电效应 在一些磁性物质内，可能产生与外加电场E成正比的磁化强度M或与外加磁场H成正比的电极化强度P,这种现象统称作磁电效应。前者称作电致磁电效应，后者称作磁致磁电效应。
当同时外加电场E和磁场H时, 物体的磁化强度M、极化强度P和E、H二者有关, (4a)
, (4b)
其中ⅹm、ⅹe分别为材料的磁化率和电极化率,αme和αem则分别为材料的磁致磁电化率和电致磁电化率。其中ⅹm、ⅹe、αme、αem通常都是张量。
Л.Д.朗道和E.М.栗弗席兹根据热力学和对称性理论预言，在自旋有序的磁性物质内，可能存在磁电效应。1960年 Д. H.阿斯特罗夫最先在实验中观察到反铁磁体Cr2O3单晶的电致磁电效应。1961年G.T.拉多和V.J.福伦又观察到Cr2O3单晶的磁致磁电效应。图2给出Cr2O3单晶的电致磁电化率随温度变化的实验数据与理论计算结果的比较。当温度升高到磁有序温度以上时，Cr2O3晶体由反铁磁性转变为顺磁性后,磁电效应随之消失。其中(αem)〃和(αme)寑指外加电场平行和垂直于Cr2O3的三角晶轴时的电致磁电化率。
在Cr2O3晶体中观察到磁电效应之后,人们又在很多具有一定晶体对称性的反铁磁物质内观察到磁电效应。
参考书目
近角聰信等编：《磁性体ハンドブック》,朝倉書店，東京，1975。
磁阻效应 外加磁场后，由磁场作用引起物质电阻率的变化。对于非铁磁性物质，外加磁场通常使电阻率增加,即产生正的磁阻效应。在低温和强磁场条件下,这效应显著。对于单晶，电流和磁场相对于晶轴的取向不同时，电阻率随磁场强度的改变率也不同，即磁阻效应是各向异性的。
铁磁体在居里温度以下，其磁阻效应与非铁磁体的不同。以图1给出的多晶镍棒的实验数据为例。在弱磁场下的技术磁化区，电阻率的相对变化 有较大的值。电流与磁场平行时具有正号。而电流与磁场垂直时具有负号。在顺磁磁化过程存在的强磁场区，和都伴随真实磁化强度增加而减少。
铁磁单晶的磁阻效应也是各向异性的,值的大小与电流和磁化强度相对于晶轴的取向有关。
霍耳效应 在磁场中，通有电流的物体，沿着垂直于与电流和磁场方向产生电场，导致出现电位差的现象。原因是由于运动载流子受到磁场的作用。
霍耳效应产生的霍耳电场与电流密度J、磁通密度B的关系为E＝RH(B×J), (1)
式中RH称为霍耳系数。与导体的电导率σ、载流子的迁移率μ有如下关系。 (2)
对铁磁物质，霍耳电场E由样品的磁化强度M决定E＝RI(M×J), (3)
式中铁磁体的霍耳系数RI一般比非铁磁体的霍耳系数RH大。除此之外，铁磁体、亚铁磁体和反铁磁体的霍耳系数与温度的依赖关系表现出很多反常现象。
狭义的磁电效应 在一些磁性物质内，可能产生与外加电场E成正比的磁化强度M或与外加磁场H成正比的电极化强度P,这种现象统称作磁电效应。前者称作电致磁电效应，后者称作磁致磁电效应。
当同时外加电场E和磁场H时, 物体的磁化强度M、极化强度P和E、H二者有关, (4a)
, (4b)
其中ⅹm、ⅹe分别为材料的磁化率和电极化率,αme和αem则分别为材料的磁致磁电化率和电致磁电化率。其中ⅹm、ⅹe、αme、αem通常都是张量。
Л.Д.朗道和E.М.栗弗席兹根据热力学和对称性理论预言，在自旋有序的磁性物质内，可能存在磁电效应。1960年 Д. H.阿斯特罗夫最先在实验中观察到反铁磁体Cr2O3单晶的电致磁电效应。1961年G.T.拉多和V.J.福伦又观察到Cr2O3单晶的磁致磁电效应。图2给出Cr2O3单晶的电致磁电化率随温度变化的实验数据与理论计算结果的比较。当温度升高到磁有序温度以上时，Cr2O3晶体由反铁磁性转变为顺磁性后,磁电效应随之消失。其中(αem)〃和(αme)寑指外加电场平行和垂直于Cr2O3的三角晶轴时的电致磁电化率。
在Cr2O3晶体中观察到磁电效应之后,人们又在很多具有一定晶体对称性的反铁磁物质内观察到磁电效应。
参考书目
近角聰信等编：《磁性体ハンドブック》,朝倉書店，東京，1975。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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