1) effective nonlinear coefficient
有效非线性系数
1.
The nonlinear phase matching angle,effective nonlinear coefficient in a new Ultraviolet Optical Crystal-K_2Al_2B_2O_7 are obtained in type-Ⅰand type-Ⅱ phase matching by theoretical simulation where we get the shortest fundamental wavelength and the optimistic effective nonlinear coefficient.
模拟计算了新型紫外光学晶体K2A l2B2O7的Ⅰ类、Ⅱ类倍频的相位匹配角、有效非线性系数,得到了其倍频的最短极限基频波波长和最大有效非线性系数,得到了其Ⅰ类、Ⅱ类倍频的走离角、允许角和允许波长的理论曲线。
2.
The accurate expressions of effective nonlinear coefficient, phase mismatching gradient and acceptance angle were achieved by means of theoretical analysis of Noncollinear phase matching in uniaxial crystals.
通过对单轴晶非共线相位匹配理论的分析 ,推导出相位失配梯度、接受容限角和有效非线性系数的精确表达式。
2) second order effective NLO coefficients
二阶有效非线性系数
1.
After analyzing variations of the second order effective NLO coefficients when K is set in one of the other quadrants,we obtain the independent quadrants for both of the uniaxial and biaxial crystals.
从分析二阶有效非线性系数公式入手，针对各类单轴、双轴晶体，讨论了其二阶有效非线性系数在其折射率主轴坐标系八个卦限中的变化情况，给出了相应的对称性结果。
3) the third-order effective nonlinear susceptibility
三阶有效非线性系数
4) thirdorder effective nonlinear optical coefficient
三阶有效非线性光学系数
5) nonlinear effective-consumption function
非线性有效消费函数
1.
Based on a nonlinear effective-consumption function,this paper constructs a inter-temporal substitution model between government spending and private consumption by using co-integration test,error correction model and impulse response function method.
以非线性有效消费函数为基础,构造了一个政府支出与居民消费的跨期替代模型,并利用1978-2004年的相关数据,采用协整检验、误差修正模型以及脉冲响应分析等计量经济方法,实证研究了我国政府支出与居民消费的关系。
2.
Based on the nonlinear effective-consumption function, this paper constructs an inter-temporal substitution model between government expenditure and private consumption, and empirically researches the relationship between them on the basis of correlating data in 1978~2004.
以非线性有效消费函数为基础,笔者构造了一个政府支出与居民消费的跨期替代模型,并利用1978年~2004年相关数据,实证研究了我国政府支出与居民消费的关系。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条