1) double-differential-gate-drive
双微分门极驱动
1.
A double-differential-gate-drive circuit,in conjunction with a loss-less snubber reduces the switching loss of semiconductor devices,especially .
用一个双微分门极驱动电路和一个无损耗缓冲吸收电路共同抑制IGBT的开关损耗,特别是抑制IGBT拖尾电流产生的损耗。
3) gate drive
门极驱动
1.
HL301A gate driver and control integrate circuit for GTO thyristor;
HL301 A GTO门极驱动器控制集成电路
4) gate drive
门驱动，栅极驱动
5) gate hard-drive
门极硬驱动
1.
Reverse-conduct IGCT(RC-IGCT) has the same advantages of both GTO and IGBT due to adopting the novel semiconductor technologies,such as transparent anode,buffer layer,slot isolation and gate hard-drive.
逆导型IGCT因采用透明阳极、缓冲层、沟槽隔离和门极硬驱动等半导体新型技术而兼具GTO及IGBT的优点,文章重点分析其结构特点及制造工艺。
6) Bipolar drive
双极性驱动
1.
Bipolar drive availed to control the Brushless DC Motor(BLDCM),and enhanced the stability of the mo- tor at low speed.
利用该特性实现了无刷直流电动机(BLDCM)双极性驱动逻辑控制,可提高低速运行时的稳定性。
2.
Complex programmable logic device(CPLD) are good at Boolean calculation,an approach to the implementation of the logic of bipolar drive for BLDC motor based on CPLD is presented.
双极性驱动有利于BLDCM的伺服控制,可提高低速运行时的稳定性。
补充资料：高压功率MOSFET门极驱动电路
高压功率MOSFET门极驱动电路
high voltage power MOSFET gate driver
gooyo gongl口MOSFET men}{目udongd一on{日高压功率MOSFE丁门极驱动电路(highvoltage Power MOSFET gate driver)用来开关高压电路中功率MOSFET的门极控制电路，又称高压浮动MOS门极驱动器。 对门极驱动电路的要求 (1)功率MOSFET位于高电位主电路中，而驱动电路位于低电位，因此一般需要电气隔离。、 (2)驱动门极的控制信号幅值应满足10~15V。由子功率MOSFET的门极与源极之间存在极间电容，故门极驱动必须提供该极间电容充放电所需的功率。(3)应具有一定的保护功能。 驱动电路的隔离方法 (l)光隔离:采用光祸合器，电路中每个功率MOSFET需要一个隔离电源，电路复杂，价格较贵，体积大，但开关很快，信号传播延时小。 (2)磁隔离:采用脉冲变压器，电路简单，费用可行，但对占空比很宽的脉冲信号进行祸合需要复杂的技术，信号频率较低时，变压器尺寸显著增加，寄生参数将会使快速开关波形畸变。 驱动电路技术发展很快，现已生产多种驱动IC芯片。进入90年代以来，一种高性能的新型高压浮动MOS门极驱动器IC芯片投人使用，使得MOS功率器件的门极驱动更加完善和易于实现。新型组件能直接驱动低电位开关，而且因具有悬浮输出，故又能直接驱动高电位开关。例如IR213o组件为六输出门极驱动器，在三相逆变电路中，用一片组件，一个千15V直流电源就可同时驱动六个功率MOSFET，使电路大为简化。它还具有以下性能:输出电阻值较小，门极极间电容可快速充放电，提高了功率器件开关速度，开关损耗低;在高频及最高允许工作电压下内部损耗较小。门极欠压、过压或负载电流超过预定峰值时，门极信号钳位于低电平，以保护功率开关器件。 绝缘栅双极型晶体管(I GBT)也属于门极电压驱动的功率器件，故上述的门极控制电路也适用于高电位的IGBT。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条