2) bidirectional breakdown diode
双向击穿二极管
4) avalanche photodiode array
雪崩击穿光电二极管阵列
1.
For detection of Chemiluminescence,a kind of signal acquisition system based on avalanche photodiode array(SiPM) is introduced.
以开发便携式化学发光免疫分析仪为应用目标,进行了基于雪崩击穿光电二极管阵列(SiPM)化学发光测量系统软硬件平台的设计。
5) resonant tunneling diode
共振隧穿二极管
1.
Effect of polarization on current characteristics of AlN/GaN resonant tunneling diode
极化效应对AlN/GaN共振隧穿二极管电流特性的影响
2.
The relaxation oscillation characteristics of a resonant tunneling diode (RTD) with applied pressure are reported.
报道了共振隧穿二极管(RTD)在压力下的弛豫振荡特性。
3.
A new type of planar resonant tunneling diode(RTD) was fabricated by ion implantation.
采用离子注入方法制作了一种新型平面共振隧穿二极管(RTD),通过离子注入将器件之间进行隔离,避免了传统台面型RTD中采用的台面刻蚀所带来的一些缺点,并且表现出良好的I-V特性,峰谷电流比为3。
6) RTD
谐振隧穿二极管
1.
This paper describes a monolithic OEIC that uses resonant tunneling diodes (RTDs) and metal-semiconductor-metal photo detectors (MSM-PDs).
设计了由谐振隧穿二极管 (RTD)为驱动器件 ,以金属 -半导体 -金属光探测器(MSM PD)为光敏元件的光电集成电路单元 ,利用通用电路模拟软件PSPICE基于其物理意义的电流 -电压方程建立直流电路模型 ,模拟其暂态特性 ,结果表明器件具有反相输出功能和双稳态特性。
补充资料:pn结击穿(electricalbreakdownofp-njunction)
pn结击穿(electricalbreakdownofp-njunction)
对pn结施加的反向偏压增大到某一数值VBR时,反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为pn结击穿。发生击穿时的反向电压称为pn结的击穿电压。
击穿电压与半导体材料的性质、杂质浓度及工艺过程等因素有关。pn结的击穿从机理上可分为雪崩击穿、隧道击穿和热电击穿三类。前两者一般不是破坏性的,如果立即降低反向电压,pn结的性能可以恢复;如果不立即降低电压,pn结就遭到破坏。pn结上施加反向电压时,如没有良好散热条件,将使结的温度上升,反向电流进一步增大,如此反复循环,最后使pn结发生击穿。由于热不稳定性引起的击穿,称为热电击穿,此类击穿是永久破坏性的。pn结击穿是pn结的一个重要电学性质,击穿电压限制了pn结的工作电压,所以半导体器件对击穿电压都有一定的要求。但利用击穿现象可制造稳压二极管、雪崩二极管和隧道二极管等多种器件。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条