1) nonlinear metal-net vibration absorber
非线性金属丝网减振器
1.
Experimental and theoretical studies on a nonlinear metal-net vibration absorber have been done.
通过试验和理论相结合的方法,对非线性金属丝网减振器进行研究分析,建立了一种基于工程实践应用的减振器非线性数学模型,以此来描述迟滞非线性系统的动态特性。
2) Metal-net damper
金属丝网减振器
1.
The performance AAW-400 metal-net damper was investigated.
对AAW-400型金属丝网减振器中的阻尼元件———金属丝网网块进行实验研究,得出金属丝网块的静刚度特性,同时也考察网块的广义密度(成型密度)、载荷和不同激励等对金属丝网块性能的影响。
3) wire net-isolator
金属丝网隔振器
1.
In theexperiment, the engine works at different working conditions and uses two kinds of vibration isolation component such asrubber-isolator and wire net-isolator.
为了合理选择发动机悬置隔振元件,有效抑制发动机的振动,以某装甲车辆柴油发动机为研究对象,对其在不同弹性支承(橡胶隔振器和金属丝网隔振器)、不同工况下的台架振动烈度进行了大量的测试与分析。
4) wire netting oil coupling shock absorber
金属丝网-油液耦合减振器
5) metallic wire damper
金属丝阻尼减振器
1.
The metallic wire damper is a new type of vibration isolator, especially the wire vibration isolator is the most widely used in the electronic equipment's vibration isolation system.
金属丝阻尼减振器是目前较为新型的隔振器 ,其中钢丝绳隔振器愈来愈广泛地应用于电子设备的隔振系统中。
6) nonlinear absorber
非线性减振器
1.
The first-order approximate dynamic equations were obtained through analysis on the mathematical model of nonlinear absorber with internal resonance.
通过对一类内共振条件下的非线性减振器的数学模型进行分析,得到了一次近似下动力学的响应方程。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条