1) filtered arc cathodic plasma deposition
磁过滤等离子体沉积
2) metal vapor vacuum are ion deposition
磁过滤等离子沉积
3) filtered cathodic arc plasma
磁过滤等离子体
1.
Cu-doped diamond-like carbon(DLC) nanodot arrays with excellent field emitting properties were fabricated on the AAO template by the filtered cathodic arc plasma technique.
利用磁过滤等离子体结合氧化铝模板(AA0)技术在室温下制备了具有优异场发射性能的铜掺杂类金刚石(DLC)纳米点阵列。
2.
The high quality DLC films were successfully deposited on the surface of silicon substrates at room temperature by the filtered cathodic arc plasma(FCAP) equipment.
利用自行研制的磁过滤等离子体技术(FCAP),并创造性地对衬底施加低频率周期性负偏压,在室温下的单晶硅表面上制备了高质量的非晶金刚石薄膜。
3.
Nano-structure TiN thin films were deposited on silicon substrate at room temperature using filtered cathodic arc plasma (FCAP) system.
在室温条件下,用磁过滤等离子体装置在单晶硅基底上制备了纳米结构TiN薄膜。
4) magnetron sputtering plasma
等离子体磁控溅射沉积
5) filtered cathodic arc plasma
磁过滤阴极弧等离子体
1.
Titanium nitride coatings were deposited on unheated stainless steel substrate and stainless steel substrate heated to 400 ℃ by filtered cathodic arc plasma deposition (FCAP) and direct current magnetron sputtering deposition (DCSP), respectively.
分别利用磁过滤阴极弧等离子体沉积装置和直流磁控溅射装置在不锈钢基底上制备了 Ti N涂层 ,采用 X射线光电子能谱仪、X射线衍射仪和扫描电子显微镜对涂层的结构及形貌进行了表征 ;利用纳米压痕仪测定了涂层的硬度 ;在 DF- PM型动摩擦系数精密测定仪上考察了涂层的摩擦学性能 。
2.
This thesis focused on the preparation of amorphous carbon nanotip arrays for excellent field emission cathode material by a unique combination of the anodic aluminum oxide (AAO) template and filtered cathodic arc plasma (FCAP) technology.
本论文以磁过滤阴极弧等离子体技术结合阳极氧化铝模板制备冷阴极场发射材料非晶碳纳米尖点阵列膜为重点,分别对阳极氧化铝模板的制备工艺、模板孔径大小和孔道开口形状的准确控制及其性能进行了研究探讨,对非晶碳纳米尖点阵列的制备技术、性能进行了较为深入详细的分析探讨。
6) plama electrolysis deposition
等离子体电沉积
补充资料：等离子体增强化学气相沉积
等离子体增强化学气相沉积
plasma enhanced chemical vapor deposition
等离子体增强化学气相沉积plasma enhancedChemieal vapor deposition使原料气体在电场中成为等离子体状态，产生化学上非常活泼的激发态分子、原子、离子和原子团等，促进化学反应，在衬底表面上形成薄膜的技术。简称PECVD。它的基本原理是利用等离子体中电子的动能促进化学反应。这一原理在一个世纪前就已被发现，20世纪60年代才开始用于制备薄膜。 在电场的作用下，气体分子成为电离状态，通过正、负电荷之间的激烈作用形成等离子体。在低压容器中，电子由于平均自由程大而得以加速，与中性分子或原子发生碰撞。其中，弹性碰撞使气体温度升高，而非弹性碰撞则使原子和分子激发、离解及电离化，产生化学活性的离子和原子团，促进化学反应。 PECVD淀积主要包括4个过程:①电子与反应气体在等离子体中反应生成离子及自由基;②反应物质从等离子体中输运到衬底表面;③离子、自由基与衬底反应或在其表面吸附;④反应物质或反应产物在衬底上排列成薄膜。后两个过程是决定薄膜质量的主要因素。 PECVD设备主要包括放电系统、抽气系统、反应室及气体导入系统。放电系统用于产生等离子体，一般采用高频电源，频率为50kHz至2.45GHz。高频功率的祸合方式可大致分为电感祸合和电容祸合两类。 PECVD的优点是可在较低温度下成膜，热损失少，从而抑制了与衬底的反应，并可在非耐热衬底上成膜。缺点是衬底表面及薄膜易因高能粒子的轰击而造成损伤，产生缺陷。 PECVD法已广泛应用于制备非晶硅膜、氮化硅、氧化膜等钝化膜‘它也是制备高分子薄膜的重要方法，这时又被称为等离子体聚合法。(章熙康)
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参考词条