1) Metal/Insulation/Silicon (MIS) structures
金属/绝缘层硅(MIS)结构
2) metal-insulator-semiconductor (MIS)
金属-绝缘层-半导体层MIS结构
4) silicon in insulator
绝缘体内硅结构
6) metal insulator metal insulator semiconductor (MIMIS)
金属-绝缘层-金属-绝缘层-半导体
补充资料:气体绝缘金属封闭开关设备绝缘试验
气体绝缘金属封闭开关设备绝缘试验
insulation test for gas insulated metal-enclosed switchgear
,在现场试验时感到很不方便。故多使用串联谐振装,尤其合适的是采用变L大置频式串联谐振装置作为高压电源进行试验。变频电源的频率可在50一30OHz间调节,以便在不同试品容量下,回路均能发生谐振。这类装置的优点是设备重量轻,噪声小,固定电抗器的设计制造容易。试一蓉可书图1变频式串联谐振试验装置T一供电变压器;L一电感;Cx一试品电容验表明,在上述频率范围内的耐压试验与工频耐压试验的结果是一致的。 此外,还可进行冲击耐压试验。振荡操作冲击耐压试验对发现污染和不正常电场结构均比较有效,适合于较高额定电压设备的耐压试验。试验可利用振荡操作冲击电压发生器进行,其原理接线和波形如图2所示。振荡频率可用250Hz或低于2.skHzo 图2振荡操作冲击电压发生器 (a)原理接线图;(b)振荡操作冲击电压波形 局部放电试验GIS在最高运行电压下,其内部不应发生局部放电。除在工厂需进行局部放电试验外,最好在现场试验时配合工频耐压试验同时检测其局部放电情况。GIS的局部放电一般采用加速度传感器来检测。其工作原理是通过检测局部放电引起的GIS壳体的微弱振动来实现对局部放电的测量。该试验可以检测出放电量为数十皮库至数百皮库的微弱放电。口lti丰日eV日口n日门引,u feno匕{伙团Qu门门g目e匕e{IUO丫uo门ShiVa门气体绝缘金属封闭开关设备绝缘试验(ins1)-lation testfor gasinsulated metal一enelosedsWltch卯ar)对气体绝缘金属封闭开关设备(简称为GIS)进行的绝缘性能检查试验。主要包括绝缘电阻试验、讨压试验、局部放电试验。 绝缘电阻试验用25 00V兆欧表测量其绝缘电阻,一般在整体组装完毕,而SF。气体未充人前进行。 耐压试验与其他电力设备不同,在GIS的现场试验中必须进行耐压试验,以检查其在出厂、运输和安装过程中是否混人导电杂质,部件有无位移或者装配不良等现象,避免因绝缘水平下降而在运行中造成事故、一般认为耐压试验可在交流电压下进行,它不仅可发现内部污染叻口导电微粒),还可对GIS作老炼试验二耐压试验的时间通常为王mi。,可采用逐级升压方式,即从较低电压开始,每级电压停留一段时间;若发生击年则可降低或去掉电压,进行分析后再重复进行,月的是对GIS做老炼试验,以消除一些可自行恢复的缺陷。由于GIS的电容量较大,如采用工频试验变压器作为高压电源来进行试验,则变压器的容量很
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