1) p-type diode
p型半导体探测器
2) P-Si semiconductor detector
P-Si半导体探测器
3) photoconductive(PC) semiconductor detectors
光导(PC)型半导体探测器
4) PC-type semiconductor detectors
光导型半导体探测器
1.
A dynamics model and the relevant equations describing transport of photocarriers in PC-type semiconductor detectors are established.
提出了光导型半导体探测器内载流子输运的动力学模型及方程组 ,并对方程组进行了数值求解。
5) Microsemiconductor detector
微型半导体探测器
6) Photoconductive semiconductor detector
PC型半导体探测器
补充资料：n型半导体
分子式：
CAS号：
性质： 以电子为多数载流子的半导材料，n为negative(负)之意。n型半导体是通过引入施主型杂质而形成的。在纯半导体材料中掺入杂质，使禁带中出现杂质能级，若杂质原子能给出电子的，其能级为施主能级，该半导体为n型半导体。如将V族元素砷杂质加入到IV族半导体硅中。它能改变半导体的导电率和导电类型。对n型半导体，电子激发进入导带成为主要载流子。例如，掺入第15(VA)族元素(磷、砷、锑、铋等)的硅与锗。也有某些固体总是n型的，如ZnO，TiO，V2O5和MoO3等。
CAS号：
性质： 以电子为多数载流子的半导材料，n为negative(负)之意。n型半导体是通过引入施主型杂质而形成的。在纯半导体材料中掺入杂质，使禁带中出现杂质能级，若杂质原子能给出电子的，其能级为施主能级，该半导体为n型半导体。如将V族元素砷杂质加入到IV族半导体硅中。它能改变半导体的导电率和导电类型。对n型半导体，电子激发进入导带成为主要载流子。例如，掺入第15(VA)族元素(磷、砷、锑、铋等)的硅与锗。也有某些固体总是n型的，如ZnO，TiO，V2O5和MoO3等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条