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1)  three-phase controlled rectifier
三相可控整流器
1.
Based on the topology and switching function matrix of three-phase to three-phase matrix converter(MC), the topology and switching function matrix of a three-phase controlled rectifier were established (called three-phase AC/DC MC in the paper).
基于三相-三相矩阵式变换器(MC)的拓扑与开关函数矩阵,建立了一种三相可控整流器(三相AC/DCMC)的拓扑和开关函数矩阵。
2)  three-phase half wave controllable rectifier
三相半波可控整流器
3)  three-phase controlled rectification
三相可控整流
4)  three-phase uncontrollable rectify
三相不可控整流
5)  phase control thyristor
可控硅整流器相控制
6)  three-phase uncontrolled rectifier bridges
三相不可控整流桥
1.
Aiming at macro three-phase uncontrolled rectifier bridges, a novel three-phase DC side series active power filter (APF) based on one cycle control is proposed.
针对大量使用的三相不可控整流桥,提出了一种新型的基于单周控制的三相直流侧串联型有源电力滤波器,该滤波器串联在整流桥和谐波源负载之间,只需要工作在电压电流2个象限,仅处理部分功率,不需要进行复杂的谐波检测计算,通过简单的控制即可实现对谐波电压和无功的同时补偿。
补充资料:硅可控整流器(siliconcontrolledrectifier(SCR))
硅可控整流器(siliconcontrolledrectifier(SCR))

简称可控硅。是一种三端四层晶体管,由pnpn四层半导体构成,它是一种可以控制的大功率半导体整流器。该器件内部有三个pn结。当可控硅加反向电压(阴极接正,阳极接负)时,结J1和J3处于反偏,只有很小的反向电流,器件处于反向阻断状态。当可控硅加正向电压且控制极不加电压时,结J1和J2处于正向偏置,而结J2为反向偏置,所以器件也只流过很小的正向电流。当正向电压上升到转折电压时,电流突然增加,器件由正向阻断突然转变为导通。导通后,正向特性和普通二极管正向特性相似。但在很大正向电压下使其击穿导通,实际上是不允许的。使用中是把正向触发电压加到控制极G上,使可控硅导通,正向转折电压降低。触发电流愈大,正向转折电压就愈低。触发导通是在极短时间内完成的,一般不超过几微秒。导通后,即使去掉G板上的触发电压,器件仍可维持导通,控制极不再起作用。通常触发电压1~5V,触发电流为几十至几百mA。可控硅导通后,正向压降一般为0.6~1.2V。SCR的额定正向电流从1A到几百A,反向额定电压可高达2kV以上,工作温度150°以下。SCR主要用于电力变换和控制,如可控整流、交流调压、逆变(直流→交流)、斩波调压(直流→可变直流)等。可以用微小的信号功率(100~200mA电流、2~3V电压)对大功率的电源(几百安电流、几千伏电压)进行控制和变换。SCR具有耐压高、容量大、效率高、控制灵敏等优点。缺点是过载能力和抗干扰能力料差,控制电路比较复杂。随着技术的发展,出现了双向可控硅、反向截止可控硅等派生元件,扩大了应用范围。可控硅又称晶体闸流管(简称晶闸管)。

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