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1)  nonlinear generalized stiff function
非线性广义刚度函数
2)  characlerisation
非线性广义权函数逼近
3)  generalized linear functions
广义线性函数
1.
Applications of generalized linear functions to analog circuits fault diagnosis are studied and an algorithm for the location of fault elements and the determina- tion of the changes of the el.
本文引用广义线性函数的概念,对元件的容差进行类线性处理,并且弱化了元件参数变化和输出增量之间的非线性关系,提出了等效的支路故障值概念。
4)  Pan-linear distribution
泛线性广义函数
1.
Definiting pan-linear distributions to generalize distribution space to non-lineardistribution space.
本文将一类非线性算子即解剖算子作用在基本函数空间上,定义了泛线性广义函数。
2.
Meanwhile, the family of dissecttingoperators given by Professor Li is used to develop the theory of distributions; it producesa new distribution–pan-linear distribution.
特别是我的导师李容录教授对三类很大的包含全部线性算子和许多非线性算子的映射族分别建立了新的三大基本原理;他给出的解剖映射同时也全面改进了广义函数理论,给出了新的广义函数-泛线性广义函数,从而使泛函分析的理论价值与应用范围分别提升和扩大到新的高度。
5)  pan-linear distributions
泛线性广义函数
1.
, dissecting mappings on the test functions space,the usual distributions was generalized to pan-linear distributions,and then the forms,structure and basic differential properties of pan-linear distributions were discussed.
将一类非线性映射即解剖映射作用在基本函数空间上,定义了泛线性广义函数,从而将线性广义函数推广到泛线性广义函数上。
6)  nonlinear score function
非线性度函数
1.
The authors studied the application of nonlinear score function method in target tracking of MMW stepped frequency monopulse radar,and used the method for further processing of the measurement result of high-resolution range profile angle.
研究了非线性度函数方法在毫米波频率步进单脉冲雷达目标跟踪中的应用,采用非线性度函数方法对高分辨距离像测角数据进一步处理,仿真表明该算法性能优于经典的卡尔曼滤波。
补充资料:半导体非线性光学材料


半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials

载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场,从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温,导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外,极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段,可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中,载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应,使载流子能态分布量子化,并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍,因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外,外加电场很容易引起量子能态的显著变化,从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体,如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高,与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比,其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点,以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件,如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体,吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体,禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体,吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况,将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术,能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求,适合制作异质界面清晰的外延材料。
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参考词条