1) X-ray lithography .mask
X射线光刻掩模
2) X-ray photolithographic mask
X-射线光刻掩模
3) X-ray mask matetrial
X射线光刻掩膜材料
4) X-ray mask
X射线掩模
1.
In this paper,the home-made x-ray mask fabri-cation process is introduced firstly,then a two layer resists method which is used to fabricate deep-submicron T-shaped gate and some initial research results are described,and the domestic deep-submicron lithography status is analyzed .
本文中我们首先对我们的x射线掩模制造工艺进行介绍,然后论述了一种用于制造深亚微米T形栅的两层胶工艺,介绍了所取得的一些研究结果,最后对国内的深亚微米光刻现状进行了简要分析。
5) X-ray lithography
X射线光刻
1.
Synchrotron radiation X-ray lithography beamline design for 50nm resolution and below;
50nm及50nm以下同步辐射X射线光刻光束线设计
2.
Key technology of mask making for 50 nm X-ray lithography;
50 nm X射线光刻掩模制备关键技术
3.
Deep-submicron T-shaped gate fabrication technology using syn chrotron radiation x-ray lithography;
同步辐射x射线光刻制作深亚微米T形栅
6) XRL
X射线光刻
1.
In order to get the dark field high aspect ratio and the batch product of the MZP,we replicate the MZP mask by using synchrotron radiation X-ray lithography(XRL).
在硅为衬底材料的自支撑氮化硅薄膜上,采用阴阳图形互换转移技术,先使用电子束直写方法制作成功了最外环为150nm的阳图形微波带片,然后用同步辐射X射线光刻技术复制成功了最外环为150nm的阴图形微波带片,得到可以应用于ICF诊断技术中的微波带片。
2.
As semiconductor device geometry shrinks down to the 100nm order for the most critical layers through Synchrotron X-ray Lithography (XRL), requirements for overlay accuracy alignment increasingly strict in the X-ray Lithography process.
作为微细加工技术之一的高分辨率光刻技术--同步辐射X射线光刻(XRL)可应用于100nm及100nm节点以下分辨率光刻,高精度对准技术对XRL至关重要,直接影响到后续器件的生产质量。
补充资料：光学掩模版
分子式：
CAS号：
性质： 在薄膜、塑料或玻璃基体材料上制作各种功能图形并精确定位，以便用于光致抗蚀剂涂层选择性曝光的一种结构。
CAS号：
性质： 在薄膜、塑料或玻璃基体材料上制作各种功能图形并精确定位，以便用于光致抗蚀剂涂层选择性曝光的一种结构。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条