1) V_(DRM)/V_(RRM)
正(反)向阻断电压
2) forward blocking voltage
正向阻断电压
1.
How to control and adjust the forward blocking voltage and the gate cathode breakdown voltage has been discussed.
分析了 SITH结构的掺杂电阻率、N-基区厚度、沟道尺寸以及终端结构对正向阻断电压的影响 ,分析了其横向自掺杂、沟道尺寸、外延层以及相关因素对栅 -阴极击穿电压的影响 ,讨论了如何进行正向阻断电压和栅 -阴极击穿电压的控制和调
3) forward reverse resistance
正反向电阻
4) reverse blocking current
反向阻断电流
6) forward biocking junction
正向阻断结
补充资料：反,反-4,4'-双(4-正丙基环己基)-1,1'-联苯
CAS：85600-56-2
分子式：C30H42
分子质量：402.65
中文名称：反,反-4,4'-双(4-正丙基环己基)-1,1'-联苯
英文名称：trans,trans-4,4'-bis(4-n-Propylcyclohexyl)-1,1'-biphenyl；CBC33；[trans(trans)]-4,4'-bis(4-propylcyclohexyl)-1,1'-biphenyl；ZLI-1987
分子式：C30H42
分子质量：402.65
中文名称：反,反-4,4'-双(4-正丙基环己基)-1,1'-联苯
英文名称：trans,trans-4,4'-bis(4-n-Propylcyclohexyl)-1,1'-biphenyl；CBC33；[trans(trans)]-4,4'-bis(4-propylcyclohexyl)-1,1'-biphenyl；ZLI-1987
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条