1) KDP protection
KDP晶体保护
2) KDP and KDP crystals
KDP和KDP晶体
3) KDP
KDP晶体
1.
The inclusions in the rapid grown KDP crystals;
快速生长KDP晶体中的包裹体
2.
In Situ Measurement of the Prismatic Faces Growth Rate of KDP Crystal;
KDP晶体柱面生长速率实时测量研究
3.
Effect of Inclusions on Laser Damage of KDP Crystals;
包裹体对KDP晶体光损伤阈值的影响
4) KDP crystal
KDP晶体
1.
Effect of sulfate doping on optical properties of KDP crystal;
硫酸盐对KDP晶体质量的影响
2.
Damage detection and analysis of machined KDP crystal subsurface;
KDP晶体加工表面的亚表面损伤检测与分析
3.
Study on the mechanism of brittle-ductile transition for turning KDP crystal with single point diamond;
KDP晶体单点金刚石切削脆塑转变机理的研究
5) KDP crystals
KDP晶体
1.
Near-surface mechanical properties of KDP crystals in single point diamond turning;
KDP晶体单点金刚石切削加工表层力学性能的研究
2.
First-principle studies of the effects of K vacancy in KDP crystals upon laser-induced damage;
用第一性原理研究K空位对KDP晶体激光损伤的影响
3.
Hardness indentation size effect of KDP crystals for ultra-precision machining surface;
KDP晶体超精密加工表面硬度压痕尺寸效应研究
6) KDP/DKDP crystal
KDP/DKDP晶体
1.
By using the rapid-growth method,the growth rate of KDP/DKDP crystal can be increased to 20-50mm/d,and the capping is little,more volume of crystal can be used.
本文回顾了KDP/DKDP晶体生长的研究进展。
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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