1) driver and terminal matching circuit
驱动与终端匹配电路
2) terminal matching
终端匹配
1.
This article analyses LVDS s natural impedance based on the theory of transmission line, which is used as the foundation of terminal matching.
利用传输线理论分析了LVDS的特性阻抗,将此作为终端匹配的依据,讨论了几种典型LVDS接口的匹配方案和抗噪声措施,并通过试验验证了匹配效果。
2.
Impedance calculation and terminal matching for SCSI LVD bus are performed on the basis of the influence analysis.
分析了PCB几何特性和材料特性对特性阻抗的影响,并将此作为并行SCSILVD总线特性阻抗计算依据和终端匹配的理论基础。
3) terminal-matching
终端匹配
1.
Based on terminal-matching theory,it researched into some terminal-matching methods such as simple parallel termination,Thevenin termination and RC termination.
基于终端匹配理论研究了简单并联端接、戴维南端接和RC端接等几种终端匹配方法。
4) matched termination,match-terminated
匹配终端
6) Distribution power Automation Terminal
配电自动化终端
1.
An implementing scheme of Distribution power Automation Terminal Unit (DATU) is given.
本文主要分析了配电自动化终端的需求，研究其结构，并采用了自顶向下的思想设计和研制了配电自动化终端单元。
补充资料：高压功率MOSFET门极驱动电路
高压功率MOSFET门极驱动电路
high voltage power MOSFET gate driver
gooyo gongl口MOSFET men}{目udongd一on{日高压功率MOSFE丁门极驱动电路(highvoltage Power MOSFET gate driver)用来开关高压电路中功率MOSFET的门极控制电路，又称高压浮动MOS门极驱动器。 对门极驱动电路的要求 (1)功率MOSFET位于高电位主电路中，而驱动电路位于低电位，因此一般需要电气隔离。、 (2)驱动门极的控制信号幅值应满足10~15V。由子功率MOSFET的门极与源极之间存在极间电容，故门极驱动必须提供该极间电容充放电所需的功率。(3)应具有一定的保护功能。 驱动电路的隔离方法 (l)光隔离:采用光祸合器，电路中每个功率MOSFET需要一个隔离电源，电路复杂，价格较贵，体积大，但开关很快，信号传播延时小。 (2)磁隔离:采用脉冲变压器，电路简单，费用可行，但对占空比很宽的脉冲信号进行祸合需要复杂的技术，信号频率较低时，变压器尺寸显著增加，寄生参数将会使快速开关波形畸变。 驱动电路技术发展很快，现已生产多种驱动IC芯片。进入90年代以来，一种高性能的新型高压浮动MOS门极驱动器IC芯片投人使用，使得MOS功率器件的门极驱动更加完善和易于实现。新型组件能直接驱动低电位开关，而且因具有悬浮输出，故又能直接驱动高电位开关。例如IR213o组件为六输出门极驱动器，在三相逆变电路中，用一片组件，一个千15V直流电源就可同时驱动六个功率MOSFET，使电路大为简化。它还具有以下性能:输出电阻值较小，门极极间电容可快速充放电，提高了功率器件开关速度，开关损耗低;在高频及最高允许工作电压下内部损耗较小。门极欠压、过压或负载电流超过预定峰值时，门极信号钳位于低电平，以保护功率开关器件。 绝缘栅双极型晶体管(I GBT)也属于门极电压驱动的功率器件，故上述的门极控制电路也适用于高电位的IGBT。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条