1) aluminium gettering
铝吸杂
1.
The influences of phosphorus gettering, aluminium gettering and P/Al cogettering on multicrystalline silicon lifetime and electrical performance are mainly studied.
本文针对磷扩散和铝背场制备为多晶硅太阳电池制造过程中的常规工序,在系统综述当前多晶硅太阳电池的吸杂进展、前景和面临的问题的基础上,研究了磷吸杂、铝吸杂和磷铝共吸杂对多晶硅少子寿命和电性能参数的影响,摸索了三种吸杂方式的最佳吸杂参数;并研究了多晶硅中氧炭含量、金属杂质含量及金属杂质存在形态以及位错、缺陷密度对吸杂的影响;同时对吸杂的模拟和仿真做了初步的摸索,得到了一系列的实验结果,为通过吸杂来提高多晶硅太阳电池效率提供了有益的参考和指导。
2) phosphorous/aluminum gettering
磷/铝吸杂
3) phosphorous/ aluminum co-gettering
磷铝联合吸杂
4) gettering
[英]['getəriŋ] [美]['gɛtərɪŋ]
吸杂
1.
Fabrication of SOI Materials and Nanocavities Gettering;
SOI材料的制备及纳米空腔吸杂
2.
It is described that a series research of heavy phosphorous diffusion gettering, aluminum and combination of aluminum and phosphorous gettering (evaporation of aluminum on the back of the wafers) are used to fabricate multicrystalline silicon solar cells with different impurity concentration of interstitial oxygen.
对不同氧含量的太阳电池用多晶硅片进行了磷扩散吸杂,铝吸杂及磷铝联合吸杂的研究,用准稳态光电导衰减法(QSSPCD)和太阳电池效率测试系统测试了吸杂前后多晶硅片的少子寿命和IV曲线。
3.
Three ways of gettering of polycrystalline silicon are compared: gettered by porous silicon, gettered by heavy phosphor diffusion and gettered by porous silicon combined with heavy phosphorous diffusion.
吸杂是减少硅中杂质和缺陷,提高多晶硅太阳电池效率的一种有效手段。
5) aluminum inclusion
铝夹杂物
1.
Original position statistic distribution analysis of aluminum inclusion in middle-low alloy steel;
中低合金钢中铝夹杂物的原位统计分布分析
2.
The criterion of original position statistic distribution analysis for the aluminum inclusion in steel;
钢中铝夹杂物原位统计分布分析的判据方法
6) Al-doped
铝掺杂
1.
Al-doped ZnO films(AZO)with good photoluminescence property were successfully deposited on quartz glass substrates by pulsed laser deposition(PLD)at room temperature.
在室温下利用脉冲激光沉积法,以石英玻璃为基体成功制备了具有优良光改发光特性的铝掺杂氧化锌晶体薄膜(AZO),激光烧蚀所用的靶材采用自制的合金靶(Zn:Al3%,质量分数,下同),沉积过程中保持固定的氧压(10Pa)和不同的激光能量密度,薄膜结构以XRD表征,铝掺杂氧化锌薄膜的室温PL谱表明,紫外发光中心在359～361 nm。
2.
Preparation of Nano-sized Mesoporous Silica Dioxide and Al-doped Silica Dioxide at Extremely Low Reactant Concentration
在极稀溶液中,通过改变反应溶剂去离子水的量或原料中铝源的量,可控合成了不同粒径(20～70nm)、形貌和孔道结构的纳米介孔氧化硅颗粒和纳米介孔铝掺杂氧化硅材料。
补充资料：内吸除(见单晶片的吸除技术)
内吸除(见单晶片的吸除技术)
internal gettering
内吸除internal gettering见单晶片的吸除技术。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条