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1)  reference voltage ripple
基准电压漂移
1.
Based on the LDO,this paper provides a comprehensive analysis of the key factors that have significant effect on the precision of output voltage of the power supply management ICs,such as reference voltage ripple and error amplifier voltage ripple,etc.
电源管理芯片的高精度电压输出,是电源管理技术的一个重要课题,以L DO稳压器为基础,详细分析了基准电压漂移、误差放大器电压漂移等影响电源电压输出精度的主要因素。
2)  Voltage drift
电压漂移
3)  Threshold voltage shift
阈电压漂移
1.
The results have shown that the threshold voltage shift following the higher dose-rates irradiation plus anneal can\'t match that obtained at the lower dose-rate for PMOS,so the ionizing radiation response of PMOS isn\'t time dependent effect,but enhanced low dose rate irradiation damage.
研究表明,用较高剂量率辐照加退火不能达到其低剂量率辐照导致的阈电压漂移。
4)  datum drift
基准偏差,基准漂移
5)  threshold voltage shift
阈值电压漂移
1.
The mechanisms for a-Si∶H-TFT threshold voltage shift were analyzed.
分析了a-Si∶H-TFT阈值电压漂移的机理,即分析了栅偏应力下电荷注入到SiNx∶H栅绝缘层和a-Si∶H中亚稳态的产生对TFT阈值电压漂移的影响。
2.
The threshold voltage shift induced by irradiation was studied based on the test results.
实验证明辐照使MOS管的阈值电压负向漂移,辐照时非零栅源电压引起的MOS管阈值电压漂移明显大于零栅源电压情况,宽长比对阈值电压漂移量影响不大。
3.
This paper investigates the dependence of threshold voltage shift of organic thin-film transistors (OTFT) based on copper phthalocyanin (CuPc) on gate stress voltage and stress time.
研究了有机薄膜晶体管(Oganicthinfilmtransistor,OTFT)的阈值电压漂移与栅偏置电压和偏置时间的关系、不同栅绝缘膜对OTFT阈值电压漂移的影响以及不同栅绝缘膜MIS结构的C-V特性。
6)  built-in drift voltage
内建漂移电压
补充资料:约瑟夫森结阵电压基准


约瑟夫森结阵电压基准
voltage primary standard based on Josephson junction array

  丫旧”fusen」泊2油nd泊n四jizhun约恶夫森结阵电压甚准(volt叫奖prin返叮stsn-d田d址曰刃onJ姗灿即njunction an习y)以约瑟夫森效应为基础建立的电压标准,由于以量子现象为依据,所以又称为量子电压基准。 在极低温度(例如液氮温度)下,有些金属的电阻实际变为零,这种状态称为超导态,这种金属则称为超导体。如果两超导体间隔以0.Inrn一3nrn的绝缘层,称这两超导体为弱祸合,这样的器件后来被称为约瑟夫森器件或约瑟夫森结。l%2年英国学者B.D.约瑟夫森从理论上预言,当电子对(又称库拍对)穿越两超导体之间这一极薄的绝缘阻挡层时,将会有如下效应:①当一直流超导电流(其最大值称为临界电流I)通过上述阻挡层时,没有电压降产生。这现象称为直流约瑟夫森效应,是1肠3年P.W.安德森和J.M.罗威尔通过实验观察到的。②当在约瑟夫森结的两端加一定直流电压U时,除了产生通常的传导电流外,在约瑟夫森结处还出现频率为石的交流超导电流,频率为和所加直流电压的关系为: ,,Ze11二U写~~‘.n式中。为基本电荷,h为普朗克常量。这一现象是5.萨皮罗于1%3年首先观察到的,故又称萨皮罗台阶(如图所示)。第n个(n为整数)台阶处的电压为 ,hU一二时l人,==叮二r~ ,二‘e式中KJ称为约瑟夫森常数,它是n二1时的约瑟夫森频率对电压的商。理论和大t实验表明KJ是个普适常数,精确等于2e/h,且在很高的精确度内没有发现它随实验变量(如台阶数、频率、超导材料辐射功率等)的改变而变化。约瑟夫森结是一个完美的频率一电压转换器,其比例常数是不变的基本物理常数比(2e/h)。由于频率能以很高准确度测定,如果KJ准确已知的话,就可利用它来复现和保存伏特单位量值。 I 约瑟夫森结和萨皮罗台阶示惫图 1988年,国际计1局电学咨询委员会(CCEM)根据包括中国在内的6个国家通过电单位绝对侧t所得的8个KJ的数据和用基本物理常数组合计算得到的两个结果,平差得: KJ_.二483 597 .9 GH公V国际计量委员会决定从19叭)年l月l日起统一启用该数值,通过约瑟夫森电压标准装t来复现电压单位量值。该值的标准偏差(即与SI真值的符合程度)为4xlo“’。决定并没有对伏特单位进行重新定义,只是规定了用准确度和复现性更高、不随时间变化的t子电压基准代替传统的标准电池组来保存和复现电压单位量值。
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参考词条