1) nonlinear programming
非线性规则
2) nonlinear control rules
非线性控制规则
3) linear programming
线性规则
1.
Based on the Scrap Ammunition Processing which is one part of the Ordnance Supply Engineering, this paper established a decision - making medel of LASAP (Locations and Amunts of Scrap Ammunition Processing) by using the multiple - objective linear programming theory.
以“军械供应工程”项目中的子题目“弹药处废系统工程”为研究背景，运用多目标线性规则理论，建立弹药处度点布局和处废能力设计的决策模型，并对模型的求解进行研究。
4) nonlinear adaptive rules
非线性自适应规则
5) nonlinear fuzzy rule consequence
非线性模糊规则后件
1.
To overcome the difficulty that an accurate mathematic model is hard to obtain,a batch process model based on fuzzy neural network with nonlinear fuzzy rule consequence is proposed.
为了克服难以获得间歇过程的精确数学模型这一难题,本文采用一种具有非线性模糊规则后件的模糊神经网络建立间歇过程的模型,在此基础上提出一种基于Lyapunov方法的全局收敛性参数学习算法,并给出了严格的数学证明。
6) nonlinear criteria
非线性准则
1.
The cryptographic properties of non－ repeated homogeneous Boolean functions with k degree are discussed and the nonlinear criteria satisfied by this class functions are given .
讨论了不重复齐次 k次布尔函数的密码性质，给出了这类函数所满足非线性准则；研究了这类函数在非线性组合函数构造中的应用，得到了几个基于这类函数的构造定理。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条