1) laser induced voltage effect
激光感生电压效应
1.
The laser induced voltage effect had been found in HTSC YBCO thin film grown on vicinal cut SrTiO 3 substrate.
生长在倾斜SrTiO3 衬底上的YBCO薄膜具有激光感生电压效应 ,响应信号的衰减时间常量与薄膜的厚度有确定的关系 。
3) laser-induced thermoelectric voltage
激光感生热电势效应
4) laser induced thermoelectric voltage
激光感生电压
1.
Optimum thickness for laser induced thermoelectric voltage effect in high T_c superconductor and CMR thin film;
根据高温超导体 (HTSC)和巨磁阻 (CMR)薄膜中激光感生电压信号的时间关系公式 ,进一步导出产生最大激光感生电压所需的薄膜最佳厚度的方程式 。
5) laser induced voltage
激光感生电压
1.
Based on the equation of laser induced voltage deduced by H.
Lengfellner等人推导的激光感生电压公式以及笔者推导出的YBa2 Cu3O7-δ薄膜激光感生电压信号随时间变化公式的基础上 ,进一步导出产生最大激光感生电压所需的薄膜最佳厚度的方程式 。
2.
Upon KrF pulse laser irradiation(λ=248 nm,f=1 Hz,E=300 mJ),laser induced voltage(LIV)signal of LCSMO and LCMO thin films were measured and analyzed.
使用波长为248 nm的LPX300Ⅰ型KrF准分子激光进行照射,重复频率为1 Hz,能量为300 mJ,对LCSMO和LCMO薄膜表面产生的激光感生电压(LIV)信号进行采集。
6) induced photoelectric effect
感生光电效应
补充资料：电压敏效应
分子式：
CAS号：
性质：又称电压敏效应。某些半导体材料的电阻值对外加电压敏感的现象。是由半导体材料的晶界效应引起的。具有非线性伏安特性。这类半导体材料的主晶相主要有氧化锌、碳化硅、钛酸锶、硅、锗、硒化镉和硒等。通常按压敏电压可分为高压、中压和低压三类压敏电阻器。在浪涌吸收、高压稳压，超导移能、无间隙避雷器等方面已获得广泛应用。
CAS号：
性质：又称电压敏效应。某些半导体材料的电阻值对外加电压敏感的现象。是由半导体材料的晶界效应引起的。具有非线性伏安特性。这类半导体材料的主晶相主要有氧化锌、碳化硅、钛酸锶、硅、锗、硒化镉和硒等。通常按压敏电压可分为高压、中压和低压三类压敏电阻器。在浪涌吸收、高压稳压，超导移能、无间隙避雷器等方面已获得广泛应用。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条