1) Reference Capacitor
参考电容
1.
A Smart Low Cost System for Capacitive-Sensor Based on the Method of Reference Capacitor;
基于参考电容的低成本智能电容传感器系统
2) reference in content
内容参考
3) Reference electrode
参考电极
1.
Objective:To explore the influence on waveform distribution in EEG record with different place of reference electrode.
目的:探讨脑电记录中不同参考电极位置对图形分布特征的影响。
2.
By simulating metro actual conditions, along effect copper or bluestone electrode was used as reference electrode of measuring concrete steel bar polarity voltage.
模拟地铁的实际工况,使用长效铜/硫酸铜电极作为测量混凝土钢筋极化电位的参考电极,检验长效铜/硫酸铜电极的稳定性、有杂散电流扰动时混凝土钢筋极化电位的变化情况以及参考电极安装位置的不同对极化电位测量的影响,同时根据广州地铁一号线杂散电流监测系统记录的数据,分析长效铜/硫酸铜电极的工作情况。
3.
The main factors influencing trace chlorine are electrodes pollution and the invalidation of the reference electrodes.
影响痕量氯分析的主要因素为电极污染及参考电极失效。
4) reference voltage
参考电压
1.
A reference voltage VREF is used to change the full scale voltage of the A/D converter for small signals.
应用对象为一种包含A/D转换器的混合信号单片机,其A/D转换器的满量程模拟值是由参考电压VERF决定的。
2.
The main properties of ADS1606,the control of the digital part,the selection of the analog input mode,the notices of reference voltage,features of power supply,the kernel of PCB design,test and analysis of three controlling structures are introduced.
详细介绍了ADS1606的主要特性、数字部分控制、模拟输入方式选择、参考电压、电源特性、PCB设计要点以及多种控制结构的测试和分析等。
3.
To eliminating the undesirable effects of the reference voltage fluctuation and temperature on the A/D conversion precision, they were investigated.
为了消除参考电压波动对A/D转换结果的影响,研究了参考电压波动和温度效应对A/D转换器转换精度的影响机理及其校正方法。
5) reference current
参考电流
1.
By inputting sensing load current,dc capacitor voltage and source voltage,reference current of APF is compu.
将负载电流、直流侧电容电压与系统电压输入改进的神经网络,计算出并联有源电力滤波器的参考电流,参考电流输入滞环电流控制器获得逆变器的触发脉冲,从而得到补偿电流。
2.
The realization of grid-connected current tracking net voltage using deadbeat control and the control of reference current were presented.
阐述了采用无差拍控制技术实现并网电流对市电电压的跟踪和参考电流信号的控制,同时给出了基于TMS320LF2407A的系统软件设计程序流程图,并进行了样机实验。
3.
Through modifying the chip design to increase the reference current of EEPROM, adjusting the etch process to increase the poly 1 CD and adding the RTP for gate oxide after polyl plasma etching to dispel the damage.
在本问题的分析与解决过程中,我通过优化芯片设计:适当增大EEPROM读出比较参考电流;通过调整圆片加工工艺:优化POLY1的蚀刻工艺、增大选通管的选择栅Poly1的条宽,增加多晶刻蚀后对栅氧化层的快速热处理等措施,最终解决了EEPROM棋盘格读出检查失效的问题,实现了新品的高良率生产。
6) reference level
参考电平
1.
Measuring result uncertainty estimate of reference level for spectrum analyser;
频谱分析仪的参考电平测量结果不确定度评定
补充资料：电容和电容器
电容是描述导体或导体系容纳电荷的性能的物理量。
孤立导体的电容 把电荷Q充到孤立导体上,它的电位U与Q成正比，Q/U与Q无关，仅取决于孤立导体的形状和大小，它反映了孤立导体容纳电荷的能力，因而定义为孤立导体的电容，用C表示，C＝Q/U。孤立导体的电容等于导体升高单位电位所需的电量。电容的国际制单位为法拉，简称法，用F表示,是一个非常大的单位。如将地球看作孤立导体，其电容只有709×-6法，所以通常采用μF(=-6F)或pF(=10-12F)为单位。
如果把另一个带负电的导体移近孤立导体，后者的电位就下降，可见非孤立导体的电位不仅与它自己所带电量的多少有关，还取决于周围其他导体的相对位置。
电容器 如果带电导体A被一封闭导体空腔B所包围，则因空腔的屏蔽作用，AB之间的电位差不受腔外带电体的影响，A所带的电量同A及B的电位差成比例。
实际上，腔体封密的限制并不太高，即使A、B二导体为间距不大的一对导体板(同轴圆柱或平行平面板)，如果QA为导体A上与导体B相对的侧面上的电量，则上述比例关系仍保持不变。这对互相绝缘的导体构成电容器，这对导体则称为电容器的一对极板。
把电压U接到电容器的一对极板上,它们得到大小相等、符号相反的电荷±Q，电位差UA-UB=U,则定义电容器的电容为C＝Q/U。电容是电容器的特性常数，取决于两导体的形状、大小、相对位置；当导体间充有绝缘材料时，电容器的电容还与绝缘材料的相对电容率εr有关。如果εr与电场强度有关，则电容C将随所加电压U而变化，这种电容器叫做非线性电容器。
电容的倒数1/C＝U/Q＝S叫做倒电容。
简单电容器的电容公式 如表。
电容器的并联和串联 n个电容器并联如图a，它们的电压都等于u,充有的电荷分别为q1、q2、...、qn。此并联组合得到的总电荷 q＝，则 C＝，即并联电容器组的总电容等于各电容的总和。
n个电容器串联如图b，它们充有相等的电荷q, 电压则分别为u1、u2、...、un。此串联组合的总电压u=，则S =,即串联电容器的总倒电容等于各倒电容的总和。
电容器的性能参数和用途 电容是电容器的主要性能参数之一。此外,实际电容器的性能参数还有耐压(或工作电压)、损耗和频率响应,它们分别取决于所充电介质的击穿场强、媒质损耗和对频率的响应。
实际电容器的种类繁多，用途各异。大型的电力电容器主要用于提高用电设备的功率因数，以减少输电损失和充分发挥电力设备的效率。电子学中广泛采用电容器，以提供交流旁路稳定电压，用作级间交流耦合，以及用作滤波器、移相器、振荡器等等。
孤立导体的电容 把电荷Q充到孤立导体上,它的电位U与Q成正比，Q/U与Q无关，仅取决于孤立导体的形状和大小，它反映了孤立导体容纳电荷的能力，因而定义为孤立导体的电容，用C表示，C＝Q/U。孤立导体的电容等于导体升高单位电位所需的电量。电容的国际制单位为法拉，简称法，用F表示,是一个非常大的单位。如将地球看作孤立导体，其电容只有709×-6法，所以通常采用μF(=-6F)或pF(=10-12F)为单位。
如果把另一个带负电的导体移近孤立导体，后者的电位就下降，可见非孤立导体的电位不仅与它自己所带电量的多少有关，还取决于周围其他导体的相对位置。
电容器 如果带电导体A被一封闭导体空腔B所包围，则因空腔的屏蔽作用，AB之间的电位差不受腔外带电体的影响，A所带的电量同A及B的电位差成比例。
实际上，腔体封密的限制并不太高，即使A、B二导体为间距不大的一对导体板(同轴圆柱或平行平面板)，如果QA为导体A上与导体B相对的侧面上的电量，则上述比例关系仍保持不变。这对互相绝缘的导体构成电容器，这对导体则称为电容器的一对极板。
把电压U接到电容器的一对极板上,它们得到大小相等、符号相反的电荷±Q，电位差UA-UB=U,则定义电容器的电容为C＝Q/U。电容是电容器的特性常数，取决于两导体的形状、大小、相对位置；当导体间充有绝缘材料时，电容器的电容还与绝缘材料的相对电容率εr有关。如果εr与电场强度有关，则电容C将随所加电压U而变化，这种电容器叫做非线性电容器。
电容的倒数1/C＝U/Q＝S叫做倒电容。
简单电容器的电容公式 如表。
电容器的并联和串联 n个电容器并联如图a，它们的电压都等于u,充有的电荷分别为q1、q2、...、qn。此并联组合得到的总电荷 q＝，则 C＝，即并联电容器组的总电容等于各电容的总和。
n个电容器串联如图b，它们充有相等的电荷q, 电压则分别为u1、u2、...、un。此串联组合的总电压u=，则S =,即串联电容器的总倒电容等于各倒电容的总和。
电容器的性能参数和用途 电容是电容器的主要性能参数之一。此外,实际电容器的性能参数还有耐压(或工作电压)、损耗和频率响应,它们分别取决于所充电介质的击穿场强、媒质损耗和对频率的响应。
实际电容器的种类繁多，用途各异。大型的电力电容器主要用于提高用电设备的功率因数，以减少输电损失和充分发挥电力设备的效率。电子学中广泛采用电容器，以提供交流旁路稳定电压，用作级间交流耦合，以及用作滤波器、移相器、振荡器等等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条