1) ionic vacancy
离子缺位
2) cation vacancy
阳离子缺位
3) lacunary Keggin anion
缺位Keggin阴离子
4) oxygen vacancy concentration
氧离子缺位浓度
5) monovacant heteropolyanion
一缺位杂多阴离子
6) Trivacant heteropolyanion
三缺位杂多阴离子
1.
Reaction of the trivacant heteropolyanions α-A-PW 9O 34 9- with Ph 2SiCl 2 leads to the formation of the diphenylsilicion derivatives (TBA) 3[α-A-PW 9O 34 (Ph 2Si) 3].
以Na8 H[PW9O3 4 ]·nH2 O与Ph2 SiCl2 为原料于乙腈中合成了三缺位杂多阴离子的二苯基硅衍生物(TBA)3[α-A -PW9O3 4 (Ph2 Si)3 ](TBA为四丁基铵盐的缩写)(记为I),并由元素分析、红外光谱、紫外光谱对化合物进行了表征,结果表明,二苯基硅通过六个Si-O -W桥键填充到三缺位杂多阴离子的骨架上,形成了开环的饱和笼形结构。
补充资料：氧离子缺位浓度
分子式：
CAS号：
性质：离子晶体中由于下列情况产生氧离子缺位。(1)不等价置换，为保持电中性，产生组分缺陷。(2)由于热振动产生热缺陷。(3)出现非化学计量化合物。单位体积中氧离子缺位数与该体积中所有氧离子结点数的比值称为氧离子缺位浓度。陶瓷材料中氧离子缺位浓度对电性能影响很大，某些高温导电陶瓷如氧化锆固溶体等就是利用氧离子缺位进行导电的。氧离子缺位浓度提高，材料活性提高，有助于质点迁移，可使固相反应和烧结温度降低。
CAS号：
性质：离子晶体中由于下列情况产生氧离子缺位。(1)不等价置换，为保持电中性，产生组分缺陷。(2)由于热振动产生热缺陷。(3)出现非化学计量化合物。单位体积中氧离子缺位数与该体积中所有氧离子结点数的比值称为氧离子缺位浓度。陶瓷材料中氧离子缺位浓度对电性能影响很大，某些高温导电陶瓷如氧化锆固溶体等就是利用氧离子缺位进行导电的。氧离子缺位浓度提高，材料活性提高，有助于质点迁移，可使固相反应和烧结温度降低。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条