1) BaTiO 3 semiconductor ceramics
BaTiO3半导瓷
2) BaTiO 3-based semiconductive ceramics
BaTiO3系半导体陶瓷
3) BaTiO3 ceramics
BaTiO3陶瓷
1.
Dense BaTiO3 ceramics were prepared using two high-pressure approaches.
用两种高压法烧结得到致密的细晶BaTiO3陶瓷。
4) BaTiO_3 ceramics
BaTiO3陶瓷
1.
Under different condition of applied voltage,the resistivity of fine grain BaTiO_3 ceramics was measured.
在不同的测试电压条件下,对不同晶粒尺寸的BaTiO3陶瓷室温下的电阻率进行了测量;结合室温下的复阻抗谱,采用简化的等效电路模型和净极化电流的理论,分析了高、低频率下晶粒和晶界对瓷体电阻的影响。
2.
Taking into account the influences of reorientation and nucleation of reverse polarization,a fraction f was proposed and the hysteresis loops of fine grain BaTiO_3 ceramics were studied theoretically.
考虑到转向极化和反向畴的成核生长过程的综合影响,引入了一个反映两种过程影响程度的比例参数,对细晶粒BaTiO3陶瓷的电滞回线进行了理论分析,其结论与试验结果是极其一致的,这将有助于深入了解晶粒尺寸效应对BaTiO3陶瓷极化影响的机制。
5) BaTiO3 ceramic
BaTiO3陶瓷
6) Ni/BaTiO3 ceramics
Ni/BaTiO3陶瓷
补充资料：碳化硅半导瓷
一种重要的陶瓷半导体材料。俗称"金刚砂"。化学式SiC,分子量40，天然产物极少。工业用碳化硅是石英砂与焦炭混合加热至2000～2400℃而制得。纯碳化硅是无色晶体，绝缘电阻很高。含有杂质以及硅或碳过量时,碳化硅呈暗黑色或灰绿色，属半导体。含V族元素杂质和含Ⅱ、Ⅲ族元素杂质的碳化硅晶体分别呈n型和p型；硅过量和碳过量的碳化硅晶体分别呈n型和p型。将半导体碳化硅粉粒加入粘土或玻璃等作粘结剂（加入量约占35～50％），在氢气保护下经过1200～1400℃烧结，可以制造比较致密的碳化硅半导瓷。这种瓷呈灰黑色,具有类似氧化锌半导瓷的非线性伏安特性，也是制造过电压保护器件的重要材料。碳化硅半导瓷的出现和应用都远较氧化锌半导瓷早，但由于其烧结条件较难，非线性特性不如氧化锌半导瓷好，60年代后期以来在电工技术领域的应用不如氧化锌半导瓷发展得快。
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