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1)  quantum well intermixing
量子阱混合
1.
Quantum well intermixing of InGaAs/InGaAsP laser- structure using ion implantation;
用离子注入的方法实现InGaAs/InGaAsP激光器材料的量子阱混合
2)  quantum wells intermixing
量子阱混合
1.
The quantum wells intermixing (QWI) is observed while annealing temperature above 600℃.
研究了晶格与 In P匹配的 In Ga As P超晶格材料的热稳定性 ,实验结果表明在 60 0℃以上的热退火下会产生量子阱混合
3)  mix strained quantum wells
混合应变量子阱
4)  quantum well intermixing(QWI)
量子阱混合QWI
5)  quantumwell well intermixing (QWI)
量子阱混合互扩
6)  quantum well intermixing
量子阱混杂
1.
A semiconductor optical amplifier and electroAbsorption modulator monolithically integrated with a spot-size converter input and output is fabricated by means of selective area growth,quantum well intermixing,and asymmetric twin waveguide technology.
采用选择区域生长、量子阱混杂和非对称双波导技术制作了电吸收调制器与半导体光放大器和双波导模斑转换器的单片集成器件。
2.
An integratable distributed Bragg reflector laser is fabricated by low energy ion implantation induced quantum well intermixing.
采用量子阱混杂的方法制作了可集成的分布式 Bragg反射激光器 。
3.
Experiment on quantum well intermixing (QWI) of InGaAsP QWs by impurity free vacancy diffusion (IFVD) using SiO 2 encapsulation is reported.
报道了使用SiO2 介质膜导致的无杂质空位扩散实现InGaAsP多量子阱混杂的实验 ,得到 2 0 0nm的最大带隙波长蓝移 。
补充资料:单量子阱(见量子阱)


单量子阱(见量子阱)
single quantum well

单且子阱sillgle quantum well见量子阱。
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参考词条