1) grinding in the ductile mode
塑性域磨削
3) Ductile mode grinding
延性域磨削
1.
Ductile mode grinding is a new technology in recent years, and it is considered as the most promising technique of flattening and thinning silicon wafers.
延性域磨削是近十几年发展起来的新技术，硅片的延性域磨削被认为是硅片平整化和硅片薄化最有前途的加工技术，但由于其前提条件是磨粒的切削深度小于临界切削深度，因此实现起来比较困难。
4) Semiductile regime grinding
半塑性化磨削
5) grinding in ductile mode
塑性磨削模式
补充资料：超导电性的局域和非局域理论（localizedandnon-localizedtheoriesofsuperconductivity）
超导电性的局域和非局域理论（localizedandnon-localizedtheoriesofsuperconductivity）
伦敦第二个方程（见“伦敦规范”）表明，在伦敦理论中实际上假定了js(r)是正比于同一位置r的矢势A(r)，而与其他位置的A无牵连；换言之，局域的A(r)可确定该局域的js(r)，反之亦然，即理论具有局域性，所以伦敦理论是一种超导电性的局域理论。若r周围r'位置的A(r')与j(r)有牵连而影响j(r)的改变，则A(r)就为非局域性质的。由于`\nabla\timesbb{A}=\mu_0bb{H}`，所以也可以说磁场强度H是非局域性的。为此，超导电性需由非局域性理论来描绘，称超导电性的非局域理论。皮帕德非局域理论就是典型的超导电性非局域唯象理论。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条