1) chemical vapour deposition / piezoresistive effect
化学汽相沉积/压阻效应
2) atmospheric pressure chemical vapor deposition
常压化学汽相沉积
1.
This paper reports some investigation results about nanometer TiO x optical thin film prepared by atmospheric pressure chemical vapor deposition(APCVD),the influence of temperature on structure and refractive index of TiO x is discussed.
报道了用常压化学汽相沉积 (APCVD)工艺制备TiOx 纳米光学薄膜的研究结果 ,讨论了衬底温度对薄膜结构及折射率的影响 ,实验验证了太阳电池对光学减反射膜的理论要求 ,优化了工艺条件 ,制备的TiOx 纳米光学薄膜性能稳定 ,大面积颜色均匀一致。
2.
This paper reports some investigation results of nanometer TiOx optical thin film prepared by atmospheric pressure chemical vapor deposition(APCVD),analyzes the influence of temperature on constructure and refractive index of TiOx,the antireflection characteristics of TiOx deposited on polished wafers and textured wafers are dicussed,the optimal process is proposed.
报道用常压化学汽相沉积 (APCVD)工艺制备 Ti Ox纳米光学薄膜的研究结果 ,分析衬底温度对薄膜结构及折射率的影响 ,讨论在抛光硅片及绒面硅片上制备的 Ti Ox薄膜光学减反射特性 ,并优化了工艺条
3) high-pressure chemical vapor deposition(HPCVD)
高压化学汽相沉积
4) low-pressure chemical vapor deposition(LPCVD)
低压化学汽相沉积
5) Chemical vapor deposition
化学汽相沉积
1.
in this paper, a novel technique of fabricating microlenses with spherical surface by laser chemical vapor deposition(LCVD)was introduced.
本文介绍了一种新颖的利用激光化学汽相沉积（ＬＣＶ）球面微透镜的技术。
2.
In this paper a technique of fabricating microlenses with spherical surface by laser chemical vapor deposition (LCVD) was introduced.
本文介绍了用激光化学汽相沉积(LCVD)球面微透镜的技术。
3.
In this paper, a technique of fabricating spherical surface microlenses by laser chemical vapor deposition (LCVD) was introduced.
介绍了用激光化学汽相沉积（ＬＣＶＤ）球面微透镜的技术。
6) CVD
化学汽相沉积
1.
In this paper the method of exhaust treament during the growthprocess of ZnSe using CVD is reported.
本文报道用化学汽相沉积法生长硒化锌多晶过程中尾气处理的方法。
2.
A continuous and pure crystalline film of β C 3N 4 with {221} textured characteristic has been grown using an ECR CVD (electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapor deposition) process.
用电子回旋共振等离子体化学汽相沉积 (ECRCVD)法 ,在单晶硅 (10 0 )衬底上沉积生长出了具有 { 2 2 1}结构特性的连续的结晶态 β C3N4 薄膜。
3.
The recent progress on fabricating methods of SiC films using chemical vapor deposition(CVD)was introduced,and the structural characteristics and physical properties of the CVD-SiC films were also reviewed.
介绍了SiC薄膜的一种主要制备方法———化学汽相沉积(CVD)法制备SiC薄膜的近年研究进展,并对所制备薄膜的结构特征与物理性质进行了简要评述。
补充资料：半导体的压阻效应
指应力作用下半导体电阻率的变化。在一些半导体中有相当大的压阻效应，这与半导体的电子能带结构有关。
压阻效应是各向异性的，要用压阻张量π(四阶张量)来描述,它与电阻率变量张量δ ρ(二价张量)和应力张量k(二阶张量)有如下关系:π:k。由于对称二阶张量只有六个独立分量, 故亦可表达成这样，压阻张量可用6×6个的分量来表达。根据晶体对称性，像锗、硅及绝大多数其他立方晶系的半导体，压阻张量只有三个不等于零的分量，即π11、π12和π44。
测量压阻效应，通常有两类简单加应力的方法：①流体静压强效应。这时不改变晶体对称性，并可加很大的压强。锗、硅的电阻率都随压强增大而变大。②切应力效应。利用单轴拉伸或压缩，这时会改变晶体对称性。压阻系数Δ ρ/ ρk，与外力方向、电流方向及晶体结构有关。对锗、硅，压阻系数如下表所示：
20世纪50年代起，压阻效应测量曾作为研究半导体能带结构和电子散射过程的一种实验手段，对阐明锗、硅等主要半导体的能带结构起过作用。锗和硅的导带底位置不同,故其压阻张量的分量大小情况也不同。N型锗的π44比π11、π12大得多,而N型硅的π11却比π12、π44大。这表明锗导带底在<111>方向上，硅导带底在<100>方向上。对于P型半导体,也有过一些工作。利用压阻测量和别的实验（例如回旋共振等）,取得一系列结果,对锗、硅等的能带结构的认识具体化了。
现在,半导体的压阻效应已经应用到工程技术中,采用集成电路工艺制造的硅压阻元件(或称压敏元件)，可把力信号转化为电信号，其体积小、精度高、反应快、便于传输。
压阻效应是各向异性的，要用压阻张量π(四阶张量)来描述,它与电阻率变量张量δ ρ(二价张量)和应力张量k(二阶张量)有如下关系:π:k。由于对称二阶张量只有六个独立分量, 故亦可表达成这样，压阻张量可用6×6个的分量来表达。根据晶体对称性，像锗、硅及绝大多数其他立方晶系的半导体，压阻张量只有三个不等于零的分量，即π11、π12和π44。
测量压阻效应，通常有两类简单加应力的方法：①流体静压强效应。这时不改变晶体对称性，并可加很大的压强。锗、硅的电阻率都随压强增大而变大。②切应力效应。利用单轴拉伸或压缩，这时会改变晶体对称性。压阻系数Δ ρ/ ρk，与外力方向、电流方向及晶体结构有关。对锗、硅，压阻系数如下表所示：
20世纪50年代起，压阻效应测量曾作为研究半导体能带结构和电子散射过程的一种实验手段，对阐明锗、硅等主要半导体的能带结构起过作用。锗和硅的导带底位置不同,故其压阻张量的分量大小情况也不同。N型锗的π44比π11、π12大得多,而N型硅的π11却比π12、π44大。这表明锗导带底在<111>方向上，硅导带底在<100>方向上。对于P型半导体,也有过一些工作。利用压阻测量和别的实验（例如回旋共振等）,取得一系列结果,对锗、硅等的能带结构的认识具体化了。
现在,半导体的压阻效应已经应用到工程技术中,采用集成电路工艺制造的硅压阻元件(或称压敏元件)，可把力信号转化为电信号，其体积小、精度高、反应快、便于传输。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条