1) input resistance
入端电阻
2) input terminal resistance
输入端电阻
1.
The effects of temporary irradiation with low dose rate γ and β rays on the input terminal resistance and Hall output voltage of GaAs transducers driven by constant current and in or not in magnetic field were studied.
为了深入揭示γ和β射线辐照对GaAs霍尔器件的影响规律,在无源、无磁场作用时的辐照研究基础上,又用低剂量率γ和β射线对恒流激励、无磁场和有确定磁场作用的器件进行非永久辐照,考察了输入端电阻及霍尔输出电压的变化。
3) driving-point impedance
入端阻抗
1.
Finally,the driving-point impedance and the voltage transfer functions of the circuit are solved using node analysis.
将多传输线模型应用于变压器线圈宽频率范围的建模并计算等值电路的入端阻抗,可以比较全面地了解线圈中自然频率分布及暂态响应的频率特性,并比较容易地通过测量模型变压器的入端阻抗,验证电路模型的频率有效范围。
4) input terminal impedance method
入端阻抗法
5) terminal resistor
终端电阻
1.
The indirectly-heated terminating type MEMS microwave power sensor s structure and process were presented,and based on these,the match design among the coplanar waveguide,the terminal resistors and the thermopile were done.
在提出间接加热终端式MEMS微波功率传感器的结构和工艺的基础上,对其基本单元:共面波导(CPW)、终端电阻和热电堆之间进行了匹配性设计,用软件HFSS进行了模拟,模拟结果包括共面波导与接触垫间的阻抗匹配的分析以及热电偶的数目和热电堆的接近对CPW性能影响的分析。
2.
The thermal simulations were done and compared,according to the thermopile s three different positions:under(structure A),above(structure B)and outside(structure C)the terminal resistors.
在提出间接加热终端式MEMS微波功率传感器结构和工艺的基础上,用Coventorware软件和ANSYS软件对其温度分布进行了模拟,根据热电堆的放置位置不同,分别对热电堆处于终端电阻的下方(结构A)、上方(结构B)和外侧(结构C)三种结构进行了模拟和比较,最后采用了热电堆处于终端电阻下方的结构,热电堆的热端可以测得的温度范围为417。
6) quadruplet resistance
四端电阻
1.
In the experiment the double bridge and quadruplet resistance of wire are obtained.
首次使用了数显温度可控的功率电阻作为金属丝的加热源,在测量中采用了双臂电桥、金属丝的四端电阻接线方式,不仅实现了金属丝的温度可控性和实时测量性,而且将测量精度提高到3%以内。
2.
In this experiment the double bridge and quadruplet resistance of wire are obtained.
本文首次使用了数显温度可控的功率电阻作为铜金属丝的加热源,在实验中采用了双臂电桥、铜金属丝的四端电阻接线方式,不仅实现了铜金属丝的温度可控性和实时测量性,而且将铜金属温度系数的测量精度提高到3%以内。
补充资料：铂电阻温度表(见电阻温度表)
铂电阻温度表(见电阻温度表)
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说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条