1) power electronic semiconductor
电力半导体功率器件
1.
This paper introduces the design of driving circuit for power electronic semiconductor,which is popular today,and the main principles for the design Furthermore,it gives some typical driving circuit
本文详细介绍了现代较为流行的电力半导体功率器件的驱动电路设计的主要原则及一些典型电路。
2) power semiconductor devices
功率半导体器件
1.
All of various new power semiconductor devices use infegrati on technology from the microelectronics and have achieved power integration.
功率半导体器件主要用来控制能源和负载之间的能量流,使这种控制有很高的精度,特别快的控制时间和很小的耗散功率。
3) power semiconductors
功率半导体器件
1.
The over-heat of power semiconductors is the main reason causing the failure of power supply,so it is necessary to well process heat design to enhance the reliability of power supply.
功率半导体器件广泛应用于各种电源设备中。
4) power semiconductor device
功率半导体器件
1.
Begining with the operational surrounding of power semiconductor devices,MOSFET and IGBT,the paper gives detailed analysis of on-state volatge,current and switching time,and advances if switching at a suitable instantaneous current,the devices can realize ZCS and ZVS and non-voltage-overshot during switching period.
从功率半导体器件MOSFET和IGBT的工作环境出发,详细分析了器件的通态电压、电流及开关时刻,得出在合适的关断电流瞬时值下,不仅能实现功率器件的ZCS,还能实现ZVS和无电压过冲换流的结论。
6) power semiconductor
功率半导体器件
1.
The paper introduced the development status of power semiconductor and Intelligent/Smart Power Module,analyzed the SPM/IPM package structure,character,process flow and materials including the process problems and solutions,finally discussed the trend of package design.
文章介绍了功率半导体器件及智能功率模块的发展,分析了常用(一般低于1500V)智能功率模块的特点、结构和工艺流程,以及封装过程所使用的材料和产生的问题,最后探讨了封装设计的发展趋势。
补充资料：大功率电力电子器件
大功率电力电子器件
power electronic devices
dagonglU dlonl一d.Qnz一ql]lon大功率电力电子器件(powe:eleetroniedevices)用于处理大容t电功率、能够控制电路通断的电子器件。由于都是半导体器件，故又称电力半导体器件(power semieonduetor deviees)。电力半导体器件是在20世纪50年代初发展起来的半导体学科中与徽电子、光电子并肩迅猛发展的一门高技术。它是电力电子技术的基础和重要组成部分。随着电力半导体器件品种的增多和技术水平的提高，它的应用范围也日渐扩大。其应用范围涉及电力工业(如直流愉电、灵活交流粉电系统)、工业电源(如感应加热、电焊机、大型电解电被设备)、交通运物(如机车牵引、电动汽车)、电机控制(如发电机励磁、交直流电动机的调速)、家用电器(如空调、电热)、通信电源等等。应用领城的佑求(如节能、节材、缩小体积重且)，要求器件的工作叔率、结构以及封装方式等不断扩大及更新，又促进了器件品种和水平的发展。 由于电力半导体器件处理的是能源，减少损耗提高效率是它主要追求的目标.为此，所有电力半导体器件无不工作在开关方式下，这是它与徽电子器件的根本区别.但在组成电路时又需要采取措施对开关方式带来的波形毛刺及谐波等电网公害进行处理。 1947年第一只晶体管的诞生开始了半导体电子学的新纪元。1956年研制成带有开关特性的晶闸管，为半导体在功率控制领域的发展显示了光明的前景。最早发展起来的器件有整流二极管(rectifier diode)和晶闸管(t ransistor)。它们曾经主宰电力电子市场20余年.其品种、规格为了适应市场的需要已经发展成一个魔大的系列。以晶闸管为例，已经派生出高压大电流晶闸管、光控晶闸管、高频快速晶闸管、逆导晶闸管、双向晶闸管、门极辅助关断晶闸管、非对称晶闸管等等。这些器件的功能只限于用门极控制电路的开通，故名半控型.自20世纪70年代末开始，由于采用了徽电子技术的工艺成就，制成了大功率晶体管(gianttransistor，GTR)和可关断晶闸管(gate turn一offthyristor，GTO)。这一类器件既能用门极控制开通又能控制关断，故名全控型. 上述器件都是以电子和空穴两种载流子的运动为基础的，所以这类器件被称为双极型器件(bipo肠rdevices)。由于器件工作时两种载流子的产生与复合描要时间，妨碍了器件工作频率的进一步提高。双极型器件一般只能工作在10kH:以下，最高的也只能工作到20~sokH:。由于技术发展，要求其颇率范围日益扩大。
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参考词条