1) drift-diffusion equation
漂移-扩散方程
1.
When τ→0+,using the entropy inequality and de la Vallée-Poussin criterion of weak compactness in L1,we show that the sequence of entropy-admissible weak solutions converges to the solutions to the bipolar isothermal drift-diffusion equation.
当τ→0+,使用熵不等式和L1里的弱紧性原理,证明了一维等热双极半导体模型的弱熵解收敛到相应的双极漂移-扩散方程的解。
2) enhanced diffusion-drift equation
漂移-扩散的扩展方程
3) quantum drift-diffusion equations
量子漂移扩散方程
1.
Weak solutions to one-dimensional quantum drift-diffusion equations for semiconductors;
一维半导体量子漂移扩散方程的弱解(英文)
4) spin drift-diffusion equation
自旋的漂移-扩散方程
1.
A spin drift-diffusion equation is discussed, and the spin injection efficiency in Fe/GaAs structure, which is a representative of ferromagnet/semiconductor (FM/SC) structure, is analyzed.
文中阐述了自旋的漂移-扩散方程,并对以Fe/GaAs为代表的铁磁性金属/半导体结构(FM/SC)进行了简单分析。
5) Drift-diffusion
漂移-扩散
补充资料：对流扩散方程
表征流动系统质量传递规律的基本方程，求解此方程可得出浓度分布。此方程系通过对系统中某空间微元体进行物料衡算而得。对于双组分系统,A组分流入某微元体的量，加上在此微元体内因化学反应生成的量，减去其流出量,即为此微元体中组分A的积累量。考虑到组分A进入和离开微元体均由扩散和对流两种作用造成,而扩散通量是用斐克定律（见分子扩散）表述的，于是可得如下的对流扩散方程：
式中DAB为组分A在组分B中的分子扩散系数;rA为单位时间单位体积空间内因化学反应生成组分A的量;CA为组分A的质量浓度；τ为时间；ux、uy和uz分别为流速u的三个分量。对于仅有x方向的定态流动,且无化学反应生成组分A时，则对流扩散方程可简化成为：
将浓度边界层概念运用于传质过程，可将二维对流扩散方程简化，得到传质边界层方程：
上述方程表明，传质与流动密切相关；只有解得速度分布之后，才能从对流扩散方程解得浓度分布，进而求得传质通量。
式中DAB为组分A在组分B中的分子扩散系数;rA为单位时间单位体积空间内因化学反应生成组分A的量;CA为组分A的质量浓度；τ为时间；ux、uy和uz分别为流速u的三个分量。对于仅有x方向的定态流动,且无化学反应生成组分A时，则对流扩散方程可简化成为：
将浓度边界层概念运用于传质过程，可将二维对流扩散方程简化，得到传质边界层方程：
上述方程表明，传质与流动密切相关；只有解得速度分布之后，才能从对流扩散方程解得浓度分布，进而求得传质通量。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条